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本发明公开了一种可编程非易失性存储单元结构，包括：金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅，金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅依次连接形成电容结构，阻挡层为该电容结构的介质层。同时还公开了一种可编程非易失性存储单元结构的设计方法，包括：将多晶硅淀积在场区...
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