微电子可编程结构及其形成与编程方法技术

揭示一种微电子可编程结构（３００）和形成及编程该结构（３００）的方法。可编程结构（３００）一般包括离子导体（３４０）和多个电极（３２０，３３０）。通过跨电极（３２０，３３０）施加一偏压，可以改变结构（３００）的电特性，从而运用该结构（３００）可以存贮信息。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及微电子设备。具体地说，本专利技术涉及适用于集成电路的可编程微电子结构。
技术介绍
在电子系统和计算机中通常使用存储设备来存储二进制数据形式的信息。这些存储设备可按特征归为几种，每种都具有与其相关的多个优点和缺点。例如，在个人计算机中用到的随机存取存储器(“RAM”)是易失半导体存储器；换句话说，如果电源切断或去除，就会丢失所存数据。动态RAM(“DRAM”)特别易失，因为必须每几毫秒就对它“刷新”(即，再充电)以保持所存数据。只要保持电源，静态RAM(″SRAM″)就在写入之后保持数据；一旦电源切断，数据就丢失。于是，在这些易失存储器结构中，只有系统电源不断开，才能保持信息。总之，这些RAM装置制造昂贵而且在设备操作时消耗相对较大的能量。因此，需要一种适用于个人计算机等经改进的存储装置。CD-ROM和DVD-ROM是非易失存储器的例子。DVD-ROM大得足以容纳冗长的音频和视频信息段；然而，只能对该存储器读取而不能写入信息。于是，一旦在制造期间对DVD-ROM编程，就不能用新的信息来对它重新编程。其它装置，诸如磁存储装置(例如，软盘、硬频和磁带)，以及其它系统，诸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微电子可编程结构，其特征在于，包括： 由固溶液构成的包括第一导电物质的离子导体； 包含第二导电物质的第一电极，其中所述第一和所述第二导电物质包含相同材料；和 第二电极。

【技术特征摘要】
US 1999-2-11 60/119,7571.一种微电子可编程结构，其特征在于，包括由固溶液构成的包括第一导电物质的离子导体；包含第二导电物质的第一电极，其中所述第一和所述第二导电物质包含相同材料；和第二电极。2.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，所述离子导体是由硫属化物材料和金属的固溶液形成的。3.如权利要求2所述的微电子可编程结构，其特征在于，从包含银、铜和锌的组中选择所述金属。4.如权利要求2所述的微电子可编程结构，其特征在于，从包含AsxS1-x、GexS1-x和GexSe1-x的组中选择所述硫属化物材料。5.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，所述第一导电物质是银。6.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，所述第一导电物质是铜。7.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，还包括插在至少一个所述电极和所述离子导体之间的阻挡层。8.如权利要求7所述的微电子可编程结构，其特征在于，所述阻挡层包括绝缘材料。9.如权利要求7所述的微电子可编程结构，其特征在于，所述阻挡层包括导电材料。10.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，至少一部分结构是在绝缘材料通路中形成的。11.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，还包括二极管。12.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，还包括晶体管。13.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，还包括电沉积。14.如权利要求1所述的微电子可编程结构，其特征在于，所述离子导体包括网络变性剂。15.一种形成可编程结构的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤形成第一电极；沉积绝缘材料；在所述绝缘材料内形成通路；将离子导体材料沉积在所述通路内；和形成第二电极。16...

【专利技术属性】
技术研发人员：MN科兹基，
申请(专利权)人：亚利桑那州立大学董事会，
类型：发明
国别省市：US[美国]