半导体存储设备制造技术

一种半导体存储设备，其包括：具有输入节点９ａ和９ｂ的差分检测放大器，一信息读取部分，基准部分，控制部分。信息读取部分包括：一连接于所述第一输入节点的主位线；一选通门；一通过该选通门连接于该主位线的次位线；一连接于该次位线并根据一字线上的电压选择性地被激活的存储单元；一用于将输入节点９ａ和主位线预充电为供应电压的预充电部分；一用于将次位线重置到地电压的重置部分。该控制部分控制预充电部分、重置部分和选通门，使得在预充电第一输入节点和主位线为供应电压且次位线被重置到地电压后，在输入节点９ａ和主位线预充电的部分电荷被重新分配到次位线。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储设备，具体地，涉及允许从存储单元高速读取信息的半导体存储设备。近年来，一直期望能够出现运算速度超过100MHz的快速微处理器。随着微处理器运算速度的加快，也需要与微处理器安装于同一芯片的ROM和快速存储器的速度越来越快。为自定义一芯片，通常将这种ROM和快速存储器安装于该芯片上。此外，也要求存储器容量随着近来微处理器功能的增强而增加。在这一背景下，一直在进行积极的研究和开发活动，以实现能够快速读取操作的大容量的半导体存储设备。例如，已提出了基于等级位线的半导体存储器设备。M.Hiraki等人(ISSCC技术论文摘要，116-117，453页1999年2月)公开了基于等级位线方法的半导体存储器设备。然而，根据前述类型的半导体存储设备，在完成对主位线和次位线的预充电后，需进行积分运算，以检测主位线上的电压和互补主位线上的电压之差。由此，为从存储单元读取信息，需要一时间段(tPRC＋tInteg)，该时间段为需要用来预充电该主位线和次位线的时间(即，tPRC)和需要用来检测电压差的时间(即tInteg)的总和。这就为快速从存储单元读取信息的实现带来了困难。于是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储设备，其包括：一差分检测放大器，其具有一第一输入节点和一第二输入节点，该差分检测放大器用于检测该第一输入节点上的电压和第二输入节点上的电压之差；一信息读取部分，用于提供根据从一存储单元读取的信息而改变的电压，该电压被提 供给该第一输入节点；用于向第二输入节点提供基准电压的基准部分；及用于控制该差分检测放大器、信息读取部分和基准部分的控制部分，其中该信息读取部分包括：一连接于所述第一输入节点的主位线；一选通门；一经由该选通门连接于 该主位线的次位线；一连接于该次位线并根据一字线上的电压选择性地被激活的存储单元；一用...

【技术特征摘要】
JP 1999-12-8 349301/991.一种半导体存储设备，其包括一差分检测放大器，其具有一第一输入节点和一第二输入节点，该差分检测放大器用于检测该第一输入节点上的电压和第二输入节点上的电压之差；一信息读取部分，用于提供根据从一存储单元读取的信息而改变的电压，该电压被提供给该第一输入节点；用于向第二输入节点提供基准电压的基准部分；及用于控制该差分检测放大器、信息读取部分和基准部分的控制部分，其中该信息读取部分包括一连接于所述第一输入节点的主位线；一选通门；一经由该选通门连接于该主位线的次位线；一连接于该次位线并根据一字线上的电压选择性地被激活的存储单元；一用于将第一输入节点和主位线预充电至第一电压的预充电部分；一用于将次位线重置到低于第一电压的第二电压的重置部分，其中，所述控制部分控制预充电部分、重置部分和选通门，使得在预充电第一输入节点和主位线至第一电压且将次位线重置到第二电压后，在第一输入节点和主位线预充的部分电荷被重新分配到该次位线。2.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中所述信息读取部分还包括一连接于主位线的第一电容；和一连接于次位线的第二电容。3.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，在第一输入节点和主位线上预充的电荷被重新分配后，在次位线上的电压等于或小于大约1V。4.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，所述基准部分包括一连接于第二输入节点的互补主位线；和一用于将第二输入节点和互补主位线预充电至第三电压的预充电部分，其中，该第三电压等于由第一电压和一预定比率相乘所得的电压。5.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，该基准部分借助于使用—基准单元输出基准电压，该基准单元的电流性能基本上是存储单元的电流性能的一半。6.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中所述差分检测放大器通过检测积分检测在第一输入节点上的电压和第二输入节点上的电压之差。7.根据权利要求6所述的半导体存储设备，其中当在第一输入节点和主位线上预充的部分电荷被重新分配给次位线时，开始进行检测积分。8.一种半导体存储器设备，包括一差分检测放大器，其具有一第一输入节点和一第二输入节点，该差分检测放大器用于检测第一输入节点上的电压和第二输入节点上的电压之差；一连接于第一输入节点的主位线；一连接于第二输入节点的互补主位线；一用于将该主位线和互补主位线预充电至第一电压的预充电部分；沿一方向排列的多个子阵列，该主位线和互补主位线沿该方向延伸；和一用于控制该差分检测放大器、预充电部分、和多个子阵列的控制部分，其中，该多个子阵列的每一个包括一用于选择性地将该主位线连接到多条次位线的一条并选择性地将该互补主位线连接到多条互补次位线的一条的选通门部分；一重置部分，用于将该多条次位线重置到低于第一电压的第二电压，选择性地释放对该多条次位线的一条的重置，将该多条互补次位线重置为第二电压，并选择性地释放对该多条互补次位线的一条的重置；一包...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岛诚，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]