用于清洗硅片的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于清洗硅片的方法，包括（Ｓ１）用于清洗硅片表面的第一清洗步骤，其中利用根据标准清洗１的ＳＣ－１清洗溶液；（Ｓ２）用于清洗在第一清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第二清洗步骤，其中利用根据标准清洗２的ＳＣ－２清洗溶液；（Ｓ３）用于清洗在第二清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第三清洗步骤，其中利用氢氟酸（ＨＦ）溶液；以及（Ｓ４）用于清洗在第三步骤中清洗的所述硅片表面的第四清洗步骤，其中利用臭氧水。本发明专利技术有效地去除硅片表面上的金属杂质并改进硅片的表面粗糙度，因而能够提供具有显著改进的物理特性的硅片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于清洗(洗涤)义圭片的方法，并且更具体地，涉及一种，其中清洗工艺根据标准清洗1和2 以及随后的利用氢氟酸(氟化氢)和臭氧水的另外清洗工艺来实施。
技术介绍
硅片的表面在晶片制造工艺或用于装置集成的半导体工艺中 受到多种杂质的污染。通常，杂质包括细粒、有机杂质或金属杂质。 这样的杂质引起半导体装置的产品收率降低。因此，当制造棵露硅 片时，清洗工艺应当在利用CMP (化学机械抛光)的抛光加工之后 以及在产生许多杂质的半导体单元工艺之后实施，以使杂质的浓度 —皮4空制在适当水平。同时，随着最近朝着硅片的更大直径和更简单设计原则的趋 势，清洗工艺的数量增加并且在清洗工艺中使用的化学物质的量也 不断地增加。因此，半导体装置的制造成本增加，而相当大的成本 花在处理清洗工艺中放出的大量化学物质上。一种典型的RCA-型清洗方法属于湿洗法，并且是迄今广泛使 用的用于清洗石圭片的方法之一 。其<也类型的清洗方法^皮才是出用于补 足典型RCA-型清洗方法的缺点。典型RCA-型清洗方法是利用高浓度强酸和强^ 威的化学物质的 高温湿法工艺。典型RCA-型清洗方法包4舌两个步^骤4示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洗硅片的方法，包括：　　　　（Ｓ１）用于清洗硅片表面的第一清洗步骤，其中利用根据标准清洗１的ＳＣ－１清洗溶液；　　　　（Ｓ２）用于清洗在所述第一清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第二清洗步骤，其中利用根据标准清洗２的ＳＣ－２清洗溶液；　　　　（Ｓ３）用于清洗在所述第二清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第三清洗步骤，其中利用氢氟酸（ＨＦ）溶液；以及　　　　（Ｓ４）用于清洗在所述第三清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第四清洗步骤，其中利用臭氧水。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-29 10-2006-01380571.一种用于清洗硅片的方法，包括(S1)用于清洗硅片表面的第一清洗步骤，其中利用根据标准清洗1的SC-1清洗溶液；(S2)用于清洗在所述第一清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第二清洗步骤，其中利用根据标准清洗2的SC-2清洗溶液；(S3)用于清洗在所述第二清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第三清洗步骤，其中利用氢氟酸(HF)溶液；以及(S4)用于清洗在所述第三清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第四清...

【专利技术属性】
技术研发人员：金仁贞，裵昭益，
申请(专利权)人：斯尔瑞恩公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]