制造高平度硅片的方法技术

本发明专利技术涉及制造高平度硅片的方法，包括（Ｓ２１）切割单晶硅锭以产生晶片；（Ｓ２２）倒角从硅锭切割的晶片的边缘；（Ｓ２３）打磨边缘倒角的晶片；（Ｓ２４）蚀刻打磨了的晶片；（Ｓ２５）磨削蚀刻了的晶片；（Ｓ２６）使用碱性水溶液轻度蚀刻磨削了的晶片以去除在磨削了的晶片上产生的表面劣化层；（Ｓ２７）抛光轻度蚀刻了的晶片的一个或者两个表面；（Ｓ２８）清洗抛光了的晶片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是涉及一种在抛 光工艺之前^f吏用碱性水溶液附加进4于轻度蚀刻工艺以有效地去除 表面劣化层的高平度石圭片的制造方法，该表面劣化层是在一系列包 括切割、倒角、研磨、蚀刻、磨削、抛光过程的晶片制造过程中的 磨削过程中产生的，本专利技术还涉及在中使用 的高纯度的蚀刻溶液的制造方法。
技术介绍
传统上，石圭片是由单晶石圭经过一系列工艺制造而成的。制造硅 片的传统方法通过参考图l进行了4皮露。图1例示了制造硅片的传统方法的流程图。参考图1,制造硅片的方法包括切割单晶硅锭的切割工艺(S11 )、将切割工艺之后获得的硅片边缘倒角的边缘-倒角工艺 (S12)、研磨工艺(S13)、蚀刻工艺(S14)、抛光晶片的一个或者两个表面的抛光工艺(S15)和清洗工艺(S16)。通过依次进行这些工艺制造出硅片。—口J以，^f后曰的近^f丁^勿、 又劝孰有重复。可选;也，可 以加入或者替换成其它工艺，如热处理或者磨削。尤其是，蚀刻工 艺(S14)用于去除在枳4成工艺，如切割工艺(S11 )、倒角工艺(S12)和研磨工艺(S13)中产生的表面劣化层。蚀刻工艺(S14)通常为 湿法蚀刻工艺。传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造高平度硅片的方法，包括：（Ｓ２１）切割单晶硅锭以产生晶片；（Ｓ２２）倒角从硅锭切割的晶片的边缘；（Ｓ２３）打磨边缘倒角的晶片；（Ｓ２４）蚀刻打磨了的晶片；（Ｓ２５）磨削蚀刻了的晶片；（Ｓ２６）使用碱性水溶液轻度蚀刻磨削了的晶片以去除在磨削了的晶片上产生的表面劣化层；（Ｓ２７）抛光轻度蚀刻了的晶片的一个或者两个表面；和（Ｓ２８）清洗抛光了的晶片。

【技术特征摘要】
KR 2007-12-18 10-2007-0133510;KR 2006-12-29 10-2001.一种制造高平度硅片的方法，包括(S21)切割单晶硅锭以产生晶片；(S22)倒角从硅锭切割的晶片的边缘；(S23)打磨边缘倒角的晶片；(S24)蚀刻打磨了的晶片；(S25)磨削蚀刻了的晶片；(S26)使用碱性水溶液轻度蚀刻磨削了的晶片以去除在磨削了的晶片上产生的表面劣化层；(S27)抛光轻度蚀刻了的晶片的一个或者两个表面；和(S28)清洗抛光了的晶片。2. 根据权利要求1所述的制造高平度硅片的方法，其中使用由陶 瓷接合剂和细金刚石微粒混合物制成的多砂轮在所述蚀刻了 的晶片的一个或者两个表面上进行所述磨削步骤(S25 )。3. 根据权利要求2所述的制造高平度硅片的方法，其中，在使用 所述多砂轮的所述磨削步骤(S25)中，所述金刚石微粒的微 沣立尺寸为0.2到l.Opm。4. 根据权利要求2所迷的制造高平度硅片的方法，其中，在使用 所述多砂轮的所述磨削步骤(S25)中，所述多砂轮的旋转速 度为900至ij 1500rpm并且4多^力速度为O.ljam/s至'j 0.3|am/s，— 皮 磨削的所述晶片的4t转速度为150到250rpm。5. 根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：南炳旭，
申请(专利权)人：斯尔瑞恩公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]