【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种通过在基底衬底上生长氮化物半导体薄膜(诸如氮化镓(GaN )薄膜)而获得的。
技术介绍
GaN是具有纤维锌矿(Wurzite)结构的氮化物半导体，并在室 温下具有与蓝色波长范围的可见射线相对应的3.4 eV的直4矣;沃迁 能带隙，与InN和A1N形成固溶体以控制能带隙能量，并在固溶体 的整个组分范围内表现出直接跃迁半导体的特性。因此，GaN广泛 用作用于发光器件(特别是蓝色发光器件)的材料。通常，GaN薄膜通过MOCVD (金属有机化学气相沉积)或 HVPE (氢化物气相外延)方法形成在由蓝宝石(A1203 )、碳化硅 (SiC )、或硅(Si)制成的基底衬底上。但是，基底衬底和GaN薄 膜具有不同的晶格常数和热膨胀系数，这使得难以在基底衬底上外 延地生长GaN薄膜。这种困难以与GaN同样的方式发生在包括 A1N、 InN、 GalnN、 AlGaN、和GaAlInN的氮化物半导体中。为了克服这种困难以及为了减少晶才各应变而建议的一种方法 是，在较低温度下在基底村底上形成具有近似栅格常数的緩冲层并 在该緩沖层上生长GaN薄膜。但是，不利方面是这...
【技术保护点】
一种氮化物半导体衬底，包括：基底衬底；以及氮化物半导体薄膜，生长在所述基底衬底的表面上，其中，所述基底衬底的下表面具有沿第一方向彼此平行形成的多个第一沟槽，并且所述第一沟槽的间距沿从所述基底衬底的中心部分朝向周缘部分的方向逐渐变小。
【技术特征摘要】
KR 2006-12-18 10-2006-01291281.一种氮化物半导体衬底，包括基底衬底；以及氮化物半导体薄膜，生长在所述基底衬底的表面上，其中，所述基底衬底的下表面具有沿第一方向彼此平行形成的多个第一沟槽，并且所述第一沟槽的间距沿从所述基底衬底的中心部分朝向周缘部分的方向逐渐变小。2. 根据权利要求1所述的氮化物半导体衬底，其中，所述基底衬底的所述下表面进一步具有沿与所述 第一方向相交的第二方向彼此平行形成的多个第二沟槽，并且 所述第二沟槽的间距沿从所述基底衬底的中心部分朝向周缘 部分的方向逐渐变小。3. —种氮化物半导体衬底，包括基底^)底；以及氮化物半导体薄膜，生长在所述基底衬底的表面上，其中，所述基底衬底的下表面具有沿第一方向4皮此平4亍形成的多个第一沟槽，所述第一沟槽的宽度沿从所述基底衬底 的中心部分朝向周缘部分的方向逐渐变大。4. 根据权利要求3所述的氮化物半导体衬底，其中，所述基底衬底的所述下表面进一步具有沿与所述 第一方向相交的第二方向彼此平行形成的多个第二沟槽，并且 所述第二沟槽的宽度沿从所述基底衬底的中心部分朝向周缘 吾卩分的方向逐渐变大。5. —种氮化物半导体衬底，包括基底衬底；以及氮化物半导体薄膜，生长在所述基底衬底的表面上，其中，所述基底衬底的下表面具有沿第一方向彼此平行 形成的多个第一沟槽，所述第一沟槽的深度沿从所述基底^H底 的中心部分朝向周缘部分的方向逐渐变大。6. 根据权利要求5所述的氮化物半导体衬底，其中，所述基底衬底的所述下表面进一步具有沿与所述 第一方向相交的第二方向4皮此平^f于形成的多个第二沟槽，并且 所述第二沟槽的深度沿从所述基底衬底的中心部分朝向周缘部分的方向逐渐变大。7. 根据权利要求2、 4、或6所述的氮化物半导体衬底，其中，所述第一和第二方向以直角相交。8. 根据权利要求1至6中任一项所述的氮化物半导体衬底，其中，所述基底衬底由硅制成。9. 一种用于制造氮化物半导体衬底的方法，包括在基底衬底的表面上沿第 一方向彼此平行地形成多个第 一沟纟曹；以及在所述基底衬底的与所述第一沟槽形成表面相对的表面 上形成氮化物半导体薄膜，其中，所述第 一沟槽的间距沿从所述基底衬底的中心部 分朝向周纟彖部分的方向逐渐变小。10. 根据权利要求9所述的用于制造氮化物半导体衬底的方法，进 一步包4舌在所述基底衬底的所述表面上沿与所述第 一 方向相交的 第二方向彼此平行地形成多个第二沟槽，其中，所述第二沟槽的间距沿与所述基底衬底的中心部 分朝向周纟彖部分的方向逐渐变小。11. 一种用于制造氮化物半导体衬底的方法，包括在基底衬底的表面上沿第一方向彼此平行地形成多个第 一沟4曹；以及在所述基底衬底的与所述第 一 沟槽形成表面相对的表面 上形成氮化物半导体薄膜，其中，所述第 一沟槽的宽度沿从...
【专利技术属性】
技术研发人员：金杜洙，李浩准，金容进，李东键，
申请(专利权)人：斯尔瑞恩公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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