复合半导体基板及其制造方法及使用其的复合半导体器件技术

本发明专利技术涉及一种复合半导体基板以及制造该基板的方法。本发明专利技术提供的制造方法包括：将球形球涂敷在基板上；在球形球之间形成金属层；去除球形球以形成开口；以及从开口生长复合半导体层。根据本发明专利技术，与传统的ＥＬＯ（横向外延过生长）法或用于在金属层上形成复合半导体层的方法相比较，该制造方法能够被简化并且能够迅速地、简单地并廉价地生长高质量的复合半导体层。并且，金属层用作发光装置的一个电极和光反射薄膜，以提供具有低能量消耗以及高发光效率的发光装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在制造发光装置中使用的复合半导体基板，以 及用于制造该基斧反的方法，具体地i兌，涉及一种用于制造复合半导 体基板的方法，该方法能够容易地且廉价地制造具有生长在金属层 上的复合半导体层的半导体基板，并且还涉及由此制造的复合半导 体基板和复合半导体器件。
技术介绍
作为典型的复合半导体的氮化镓(GaN)公知是一种适合应用 于蓝光发射装置或高温电子装置的材料。近来，由于对蓝光发射装 置的需求急剧增加，因此对GaN基板的需求也增力口。但是，高质量 GaN基板很难制造，因此需要大量的制造成本和时间。例如，广泛 使用在制造高质量GaN基板的ELO (横向外延过生长)方法使用 带形Si02掩模来减小由于基板与GaN晶体之间的晶格常数(lattice constant)和热膨胀系数中的差异引起的应力。即，ELO方法在基 板上生长GaN薄膜，从反应器耳又走具有生长的GaN薄膜的基板， 在沉积设备中对基板充电以在GaN薄膜上形成Si02薄膜，从沉积 设备取走具有沉积的Si02薄膜的基板，使用光刻法形成SiCb掩模 图样，并且再次在反应器中对基板充电以形成GaN层(更多信息参 见韩国专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合半导体基板，包括：基板；金属层，堆叠在所述基板上，并且具有多个圆形开口，通过所述开口暴露出所述基板的表面；以及复合半导体层，从通过所述多个圆形开口暴露出的所述基板的表面生长，以填满所述开口并覆盖所述金属层。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-7 10-2006-01093081.一种复合半导体基板，包括基板；金属层，堆叠在所述基板上，并且具有多个圆形开口，通过所述开口暴露出所述基板的表面；以及复合半导体层，从通过所述多个圆形开口暴露出的所述基板的表面生长，以填满所述开口并覆盖所述金属层。2. 根据权利要求1所述的复合半导体基板，其中所述金属层由 Pt、 Ti、 Cr、 Al或Cu制成。3. 根据权利要求1所述的复合半导体基板，进一步包括緩冲层，形成在所述基板与所述复合半导体层之间，用 于减小所述基板与所述复合半导体层之间的结晶差异，以使所 述复合半导体层的晶体缺陷密度最小化。4. 根据权利要求3所述的复合半导体基板，其中所述緩沖层由 GaN薄膜、A1N薄膜、AlGaN薄膜或者其组合薄膜制成。5. 根据权利要求1所述的复合半导体基板，其中所述金属层具有 的厚度比所述开口的直径小。6. 根据权利要求1所述的复合半导体基板，其中所述开口的直径 为10 nm至2 pm。7. 根据权利要求1所述的复合半导体基板，其中所述复合半导体 层由GaN、 A1N、 InN或其组合制成(Ga-xAli-yln卜zN， 0Sx, y, zSl )。8. 根据权利要求7所述的复合半导体基板，其中所述复合半导体 层还包含/人Si、 Ge、 Mg、 Zn、 O、 Se、 Mn、 Ti、 Ni禾口 Fe纟且 成的组中选择的至少 一 种材料。9. 根据权利要求1所述的复合半导体基板，其中所述基板由蓝宝 石(A1203 )、 GaAs、尖晶石、InP、 SiC或Si制成。10. —种复合半导体器件，使用权利要求1所限定的所述复合半导 体基板来制造，其中所述复合半导体层包括第一导电型复合半导体层；活性层，形成在所述第一导电型复合半导体层上；以及第二导电型复合半导体层，形成在所述活性层上，其中所述复合半导体器件使用所述金属层作为第 一 电 才及，并且其中所述复合半导体器件包括形成在所述第二导电型复 合半导体层上的第二电极。11. 一种用于制造复合半导体基板的方法，包括(a)制备多个^求形3求；(b )将所述多个球形球涂l欠在基板上；(c) 将金属层以小于所述J求形^求的尺寸的厚度沉积在涂 敷有所述J求形J求的所述基^反上；(d) 从其上沉积有所述金属层的所述基板去除所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容进，金杜洙，李浩准，李东键，
申请(专利权)人：斯尔瑞恩公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]