层间电容器的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种层间电容器的形成方法，其利用一刻蚀阻挡层作为电容器介质，而无需额外的介质层淀积来形成电容器介质，同时利用同一金属层来形成上层金属连线与电容器上极板，具体包括如下步骤：于一电容器下极板形成后，淀积一刻蚀阻挡层和一层间介质膜；通过刻蚀，于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；于该电容器极板沟槽内形成一电容器上极板。与传统工艺相比，其减少了淀积与刻蚀的次数，简化了工艺流程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路工艺方法，特别涉及一种。
技术介绍
平板电容器在集成电路中应用广泛，其包括上下两层导电材料和中间的介 质层。而经常用到的电容器种类包括结电容、金属-氧化层-硅电容、多晶层间电 容和金属层间电容。前两种电容器由于寄生电容、电阻较大，而影响了加在实 际使用的电容器上的有效电压。而多晶层间电容器和金属层间电容器由于上下 极板的导电性好，而能提供更好的性能。但多晶层间电容器和金属层间电容器 的形成工艺复杂，也就增加了相应的制造成本。如图1所示，其为传统的多晶硅与金属层间电容器的剖面示意图。在其形成过程中电容器下极板1 、上极板3以及上层金属连线5的形成均需要各自的淀 积、光刻和刻蚀，即需淀积一多晶硅层并进行光刻和刻蚀，以形成电容器下极 板l;需淀积一金属层并进行光刻和刻蚀，以形成电容器上极板3;需淀积另一 金属层并进行光刻和刻蚀，以形成上层金属连线5。而电容器的介质层2与刻蚀 阻挡层4也需各自的淀积与刻蚀。可见传统多晶硅与金属层间电容器的形成工 艺复杂，需多次淀积与刻蚀方可完成。为此，如何在集成电路工艺中减少多晶硅与金属层间电容器的制造复杂度， 从而降低其制造成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层间电容器的形成方法，其特征是，包括：　　　　于一电容器下极板形成后，淀积一刻蚀阻挡层和一层间介质膜；　　　　通过刻蚀，于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；　　　　于该电容器极板沟槽内形成一电容器上极板。

【技术特征摘要】
1.一种层间电容器的形成方法，其特征是，包括于一电容器下极板形成后，淀积一刻蚀阻挡层和一层间介质膜；通过刻蚀，于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；于该电容器极板沟槽内形成一电容器上极板。2. 根据权利要求1所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述电 容器上极板为一单层结构，其与一金属连线形成于同一金属层。3. 根据权利要求1所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述电 容器上极板为一双层结构，其第一层形成于一接触孔填充层，其第二层与一金 属连线形成于同一金属层。4. 根据权利要求1所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述层 间电容器为多晶硅金属层间电容器。5. —种层间电容器的形成方法，其特征是，包括以下步骤 于一基底上形成一栅极和一电容器下极板； 淀积一刻蚀阻挡层；淀积一层间介质膜；于层间介质膜和刻蚀阻挡层中形成至少一接触孔，其中上述接触孔穿过层 间介质膜和刻蚀阻挡层； 淀积一接触孔填充层；保留接触孔内的接触孔填充层，去除其余接触孔填充层；于层间介质膜中形成一 电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；淀积一金属层于上述带有通孔和电容器极板沟槽的层间介质膜；保留通孔上方的金属层与电容器极板沟槽内的金属层，而刻蚀掉金属层的其他部分，以同时形成至少一金属连线和一电容器上相j反，其中通孔上方剩余的金属层为该金属连线，电容器极板沟槽内剩余的金属 层为该电容器上极板。6. 根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法， 间电容器为多晶硅金属层间电容器。7. 根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法， 接触孔连接上述金属连线与栅极。8. 根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法， 接触孔连接上述金属连线与电容器下极板。9. 根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法， 容器上极板为由上述金属层所形成的单层结构。10. 根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法 在淀积上述接触孔填充层之前，淀积一阻挡层。11. 根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法 触孔填充层的材质为鴒。12. 根据权利要求11所述的层间...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾学强，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]