温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种层间电容器的形成方法，其利用一刻蚀阻挡层作为电容器介质，而无需额外的介质层淀积来形成电容器介质，同时利用同一金属层来形成上层金属连线与电容器上极板，具体包括如下步骤：于一电容器下极板形成后，淀积一刻蚀阻挡层和一层间介质膜；通...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。