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本发明涉及一种复合半导体基板以及制造该基板的方法。本发明提供的制造方法包括：将球形球涂敷在基板上；在球形球之间形成金属层；去除球形球以形成开口；以及从开口生长复合半导体层。根据本发明，与传统的ＥＬＯ（横向外延过生长）法或用于在金属层上形成复...
该专利属于斯尔瑞恩公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯尔瑞恩公司授权不得商用。

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