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本发明涉及制造高平度硅片的方法，包括（Ｓ２１）切割单晶硅锭以产生晶片；（Ｓ２２）倒角从硅锭切割的晶片的边缘；（Ｓ２３）打磨边缘倒角的晶片；（Ｓ２４）蚀刻打磨了的晶片；（Ｓ２５）磨削蚀刻了的晶片；（Ｓ２６）使用碱性水溶液轻度蚀刻磨削了的晶片以...
该专利属于斯尔瑞恩公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯尔瑞恩公司授权不得商用。

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