薄膜元件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜元件的制造方法，其特征在于以下步骤：在由不同于第一种材料的第二种材料形成的一支撑体（２）的结晶层（２）上外延生长第一种材料的结晶层（４），所述第一种材料层（４）其厚度使其晶格参数由支撑体（２）结晶层（２）的晶格参数决定；在所述第一种材料层（４）的与支撑体（２）相反的一面形成介电层（８）以形成施体结构（２，４，８）；将施体结构（２，４，８）与一个受体衬底（１０）进行组装；去除支撑体（２）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造薄膜元件的方法。技术背景在此类方法中，人们频繁使用一种支撑体作为施体(donor)结 构 一部分施体结构(通常是一表面层)例如借助层的转移被用作目 标结构的元件。我们尤其为制造一种绝缘体上锗(GeOI)结构时涉及到这种解 决方案，正如F. Letertre等人在2004材料研究协会，Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.809中的论文swflW c,技术实现的绝缘体上锗 (GeOI)结构(Germanium-On-Insulator (GeOI) structure realized by the smart cut Technology )，，中和C.Deguet等人在ECS 2005， 魁北克，2005-05巻，第78页的使用s附Wc/，技术由外延生成晶 片实现的 200mm绝缘体上锗(GeOI )结构(200 mm Gernanium-On画insulator (GeOI) Structures realized from epitaxial wafers using the smart cutTM technology)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜元件制造方法，其特征在于以下步骤：－在由不同于第一种材料的第二种材料形成的一支撑体（２；１２）的结晶层（２；１２）上外延生长第一种材料的结晶层（４；１４），所述的第一种材料层（４；１４）具有的厚度使其结晶参数由所述支撑体（２；１２）结晶层（２；１２）的晶格参数决定；－在所述第一种材料层（４；１４）的与所述支撑体（２；１２）相反的一面上形成介电层（８；１８），以形成施体结构（２，４，８；１２，１４，１８）；－将所述施体结构（２，４，８；１２，１４，１８）与一个受体衬底（１０）组装在一起；－去除所述支撑体（２；１２）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2005-9-28 05098971.一种薄膜元件制造方法，其特征在于以下步骤-在由不同于第一种材料的第二种材料形成的一支撑体(2；12)的结晶层(2；12)上外延生长第一种材料的结晶层(4；14)，所述的第一种材料层(4；14)具有的厚度使其结晶参数由所述支撑体(2；12)结晶层(2；12)的晶格参数决定；-在所述第一种材料层(4；14)的与所述支撑体(2；12)相反的一面上形成介电层(8；18)，以形成施体结构(2，4，8；12，14，18)；-将所述施体结构(2，4，8；12，14，18)与一个受体衬底(10)组装在一起；-去除所述支撑体(2；12)。2. 根据权利要求l所述的方法，其特征在于包括，在形成介电层 (8; 18)之前，在所述第一种材料层(4; 14)上外延生长第三种材料层(6; 17)的步骤，所述第三种材料层的材料和厚度被选择成使 得第三种材料的晶格参数由所述支撑体(2; 12)的结晶层的晶格参 数决定。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于去除支撑体步骤之后 的以下步骤-局部蚀刻第一种材料的结晶层直到第三种材料层；-在由于蚀刻而暴露的第三种材料层的区域外延生长第三种材料。4. 根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于形成介...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯特尔德格特，劳兰特克拉维里尔，
申请(专利权)人：原子能委员会，
类型：发明
国别省市：FR[法国]