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本发明涉及一种薄膜元件的制造方法，其特征在于以下步骤：在由不同于第一种材料的第二种材料形成的一支撑体（２）的结晶层（２）上外延生长第一种材料的结晶层（４），所述第一种材料层（４）其厚度使其晶格参数由支撑体（２）结晶层（２）的晶格参数决定；在...
该专利属于原子能委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能委员会授权不得商用。

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