【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种光电子半导体芯片。为了将预制的半导体芯片的半导体本体固定在单独的、与半导体本体 分开预制的支承体上，在制造芯片时经常需要复杂的工艺步骤来将支承体 固定到半导体本体上，例如将支承体^或者焊接到半导体本体上。本专利技术的任务是提供一种尤其是在辐射的耦合输出方面可有效且简 化地制造的光电子半导体芯片。该任务通过一种具有权利要求1所述特征的半导体芯片以及一种具有权利要求16所述特征的方法来解决。本专利技术的有利的扩展方案和改进 方案是M权利要求的主题。根据本专利技术的光电子半导体芯片包括薄膜半导体本体，该薄膜半导体本体具有带有适于产生辐射的有源区的半导体层序列；还包括构建在半导 体层序列上的、使薄膜半导体本体在机械上稳定的支承层。构建在半导体层序列上的支承层使薄膜半导体本体在机械上稳定。这 样可以省去其上固定(例如^ )有用于薄膜半导体本体的半导体层序列 的、单独的、特别预制的支承体。通过在用于薄膜半导体本体的半导体层 序列上构建(尤其是形成或者层叠)支承层，可以省去复杂的^^工艺， 其中在该接合工艺中单独的支承体与半导体层序列机械上稳定^目连。这 样相对...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2005.9.30 DE 102005047157.9;2005.12.21 DE 102005061.一种光电子半导体芯片(12)，具有薄膜半导体本体(8)，其包括具有适于产生辐射的有源区(3)的半导体层序列(2，20)；以及构建在半导体层序列上的、使薄膜半导体本体机械稳定的支承层(7)。2. 根据权利要求l所述的半导体芯片，其特征在于，支承层(7)自 支承地构建。3. 根据权利要求1或者2所述的半导体芯片，其特征在于，支承层 (7 )具有的厚度在10 jum到500 ju m之间，包括端点；优选在50 n m到200pm之间，包括端点。4. 根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 支承层(7)不同于如下的生长衬底(1):在该生长村底上外延地生长用 于薄膜半导体本体(8)的半导体层序列(2， 20)。5. 根据上i^L利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 支承层(7)是绝缘的。6. 根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 支承层(7)对有源区(3)中产生的辐射起吸收作用。7. 根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 支承层(7)沉积在用于薄膜半导体本体(8)的半导体层序列(2， 20) 上。8. 根据上a利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 支承层(7)实施为陶瓷层、多晶层或者不定形层。9. 根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 支承层(7)含有氮化铝或者氧化铝。10. 根据上述权利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 支承层(7)具有多层结构。11. 根据上a利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 在支承层(7 )与薄膜半导体本体(8 )之间设置含有金属的层(6 ),尤其 U于金属或者基于M的层。12. 根据权利要求ll所述的半导体芯片，其特征在于，含有金属的层(6)构建为对有源区(3)中产生的辐射的^^射层。13. 根据权利要求11或者12所述的半导体芯片，其特征在于，含有 金属的层(6)实施为用于电接触半导体芯片(12)的接触层。14. 根据上a利要求中至少一项所述的半导体芯片，其特征在于， 半导体芯片(10)、尤其是半导体层序列(2, 20)和/或有源区(3)>^有 至少一种111 - V -化合物半导体材料，或者基...
【专利技术属性】
技术研发人员：克劳斯·施特罗伊贝尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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