用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件技术

说明了一种用于制造光电子半导体器件（1）的方法，具有以下步骤：A）提供布置在载体（50）上的多个半导体芯片（10），B）在所述半导体芯片（10）的背离所述载体（50）的侧上布置辅助载体（60），C）去除所述载体（50），D）将所述半导体芯片（10）之间的所述辅助载体（60）分离成辅助载体芯片单元（2），每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片（10）和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分（61），E）将所述辅助载体芯片单元（2）分别布置在连接载体（30）上，以及F）从每个辅助载体芯片单元（2）去除各自的辅助载体部分（61）。还说明了一种光电子半导体器件（1）。部分（61）。还说明了一种光电子半导体器件（1）。部分（61）。还说明了一种光电子半导体器件（1）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件


[0001]说明了一种用于制造光电子半导体器件的方法和一种光电子半导体器件。所述光电子半导体器件特别是被设置用于产生和/或检测电磁辐射，特别是人眼可感知的光。

技术实现思路

[0002]要解决的一个任务是说明一种用于制造使得能够简化制造的光电子半导体器件的方法。
[0003]另一个要解决的任务在于说明一种具有改进效率的光电子半导体器件。
[0004]根据用于制造光电子半导体器件的方法的至少一个实施方式，提供多个布置在载体上的半导体芯片。
[0005]所述半导体芯片特别是分别包括半导体本体，该半导体本体具有至少两个不同的半导体材料区域。不同的区域具有彼此不同的导电类型。例如借助于掺杂来设置相应半导体区域的导电类型。
[0006]所述半导体本体包括有源区域，所述有源区域被设置用于产生和/或检测电磁辐射。所述有源区域包括例如pn结、双异质结构、单量子阱结构（SQW，single quantum well）或多量子阱结构（MQW，multi quantum well），用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造光电子半导体器件（1）的方法，具有以下步骤：A）提供布置在载体（50）上的多个半导体芯片（10），B）在所述半导体芯片（10）的背离所述载体（50）的侧上布置辅助载体（60），C）去除所述载体（50），D）将所述半导体芯片（10）之间的所述辅助载体（60）分离成辅助载体芯片单元（2），每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片（10）和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分（61），E）将所述辅助载体芯片单元（2）分别布置在连接载体（30）上，以及F）从每个辅助载体芯片单元（2）去除各自的辅助载体部分（61）。2.根据权利要求1所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，在步骤A）之前每个半导体芯片（10）都设置有电连接结构（201、202）。3.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，在步骤A）之前将所述半导体芯片（10）借助于第一接触层（71）布置在所述载体（50）上。4.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，所述辅助载体（60）通过熔化热塑性连接层（40）与所述半导体芯片（10）连接。5.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，步骤B）在真空气氛下进行。6.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，借助于锯切或借助于锯切或刻划和折断来分离所述辅助载体（60）。7.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，将所述辅助载体芯片单元（2）借助于第二接触层（72）布置在所述连接载体（30）上。8.根据权利要求4和7所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，所述第二接触层（72）的表面张力大于所述连接层（40）的材料的表面张力。9.根据权利要求7和8中任一项所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，将所述辅助载体芯片单元（2）在200
°
C至300
°
C之间的温度下布置在所述连接载体（30）上。10.根据前述权利要求中任一项所述的用于制造光电子半导体器件（1）的方法，其中，所述辅助载体部分（61）的去除包括激光剥离方法步骤、蚀刻方法步骤、刮除方法步骤或剪切方法步骤。11.根据权利要求10所述的用于制...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：