奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司专利技术

奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司共有665项专利

  • 描述了一种半导体器件(100),包括:载体(1);至少一个半导体芯片(2),所述至少一个半导体芯片布置在所述载体(1)上并且在所述半导体芯片(2)的背离所述载体(1)的主表面上具有至少一个第一电接触部(11)。所述半导体器件包括布置在所...
  • 在一个实施方式中,一种用于制造光电子半导体器件(1)所用的光学组件(23)的方法包括步骤:
  • 说明了一种光电子半导体器件(1),具有光电子半导体芯片(2)和具有基质材料(31)的封装(3),其中所述半导体芯片嵌入所述封装中,以及其中所述封装被构造为使得在所述光电子半导体器件的运行时形成完全布置在所述封装内的空腔(5)。此外说明了...
  • 说明了一种具有载体(3)和多个半导体芯片(2)的光电器件(1),其中所述半导体芯片在背离所述载体的主表面(21)上分别具有至少一个接触表面(25)。每个接触表面都与连接轨道(5)电接触,其中所述连接轨道通过所述半导体芯片的主表面的边缘(...
  • 说明了一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,具有以下步骤:A)提供布置在载体(50)上的多个半导体芯片(10),B)在所述半导体芯片(10)的背离所述载体(50)的侧上布置辅助载体(60),C)去除所述载体(50),D)将所述半导体...
  • 在至少一个实施方式中,光电器件(100)包括具有安装表面(10)的载体(1)、光电半导体芯片(2)、介电保护层(31)和封装(32)。介电保护层(31)在芯片贴装区域(11)直接被施加到安装表面(10)上。半导体芯片(2)在芯片贴装区域...
  • 说明了一种用于从部件复合体(1)中分离部件(2)的方法,其中所述方法包括以下步骤:
  • 说明了一种光电子器件(100),具有载体(1)和布置在所述载体上的半导体芯片(2),其中所述载体具有安装面(1M),所述安装面(1M)设置有反射涂层(4)。防腐蚀层(7)形成在所述半导体芯片上,并且所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反...
  • 说明了一种用于制造电子器件的方法,具有以下步骤:
  • 说明了一种装置(1),具有多个光电子半导体器件(10)、耦合输出元件(20)、电绝缘的绝缘层(30)和电连接结构(40)。所述半导体器件(10)布置在一个共同的平面中,并且每个半导体器件(10)都由侧面(10A)横向界定。所述半导体器件...
  • 提出了一种用于制造结构元件(10)的方法,所述结构元件具有支座(1)和至少一个构件(2),其中所述构件与所述支座导电地连接并且借助于电绝缘的连接层(3)被机械地紧固在所述支座上。为此,为所述支座提供联接层(1S),其中,所述连接层布置在...
  • 在一种实施方式中,该方法用于制造光电子半导体器件并且包括以下步骤:A)提供具有接触侧(20)的光电子半导体芯片(2),B)在所述接触侧(20)上产生涂层区域(21)和保护区域(22),C)将液体涂层材料(30)施加到接触侧(20)上,其...
  • 本发明涉及一种光电子器件(3、10、13、22),包括:
  • 在一个实施例中,该方法用于生产光电半导体器件(1),并且包括以下步骤:A)提供光电半导体芯片(2),B)施加临时间隔物(3)以保护光电半导体芯片(2)的光出射面(20),C)直接在光电半导体芯片(2)周围和临时间隔物(3)周围在横向方向...
  • 在至少一个实施例中,光电子组件(100)包括载体(1)、光电子半导体芯片(2)和封装(3)。所述半导体芯片固定到所述载体的安装表面(10)上并且与所述载体导电连接。所述封装围绕所述半导体芯片并且至少部分地覆盖所述安装表面。所述封装包括第...
  • 说明了一种发射辐射的器件(1),具有:‑半导体芯片(2),所述半导体芯片在运行期间从辐射出射面(3)发射第一波长范围的电磁辐射,以及‑灌注体(4),所述灌注体包括基质材料(5)和大量纳米颗粒(6),其中‑所述纳米颗粒(6)在所述基质材料...
  • 一种光电子发光设备,包括:•载体(11),和至少一个像素(13),所述至少一个像素具有三个发光元件(15a、15b、15c),特别是LED,•其中所述像素(13)的发光元件(15a、15b、15c)布置在所述载体(11)的上侧(17)上...
  • 在一个实施例中,该方法用于生产光电半导体器件(1),并且包括以下步骤:‑提供发光二极管芯片(2)和磷光体本体(3),‑将牺牲层(4)仅应用到磷光体本体(3)的顶侧(30),‑将磷光体本体(3)放置到发光二极管芯片(2)上,‑借助于膜辅助...
  • 包括层结构的光电子组件,层结构包括有源区,有源区布置在平面中,层结构包括顶侧和四个侧面,第一侧面和第三侧面彼此相对,第二侧面和第四侧面彼此相对,脊结构布置在层结构的顶侧上并且在第一侧面和第三侧面之间延伸,第一凹陷在脊结构旁边侧向地被引入...
  • 本发明涉及一种用于生产半导体器件的方法。方法包括如下步骤:提供载体,载体具有布置在载体上的半导体部件;以及在载体上提供层布置,层布置邻接半导体部件,具有第一可流动层和第二可流动层。第一层被形成在载体上。然后在第一层上形成第二层。第一层具...
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