【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件提供了一种用于生产光电半导体器件的方法。还提供了一种光电半导体器件。要实现的目的是提供一种用于生产光电半导体器件的方法，其中，可以避免模具溢料（moldflash）的负面影响。该目的尤其通过包括独立权利要求的特征的方法以及通过包括独立权利要求的特征的光电半导体器件来实现。优选的进一步开发构成从属权利要求的主题。特别地，在根据本专利技术的方法中，通过膜辅助模制（filmassistedmolding）来生产反射性封装本体。为了避免辐射出射侧上的封装本体的模具溢料，向LED芯片或磷光体本体提供牺牲层。可以通过去除牺牲层来同时去除器件上可能的模具溢料，或者借助于牺牲层来避免器件上可能的模具溢料。根据至少一个实施例，该方法用于生产光电半导体器件。特别地，光电半导体器件是发光二极管，简称为LED。也就是说，光电半导体器件可以产生光，特别是像白光这样的可见光。根据至少一个实施例，该方法包括提供发光二极管芯片和/或磷光体本体的步骤。发光二极管芯片（简称为LED芯片）优选地包括用于产生辐射...
【技术保护点】
1.一种用于生产光电半导体器件（1）的方法，其包括以下步骤：/n- 提供发光二极管芯片（2）和磷光体本体（3），/n- 将牺牲层（4）仅应用到磷光体本体（3）的顶侧（30），/n- 将磷光体本体（3）放置到发光二极管芯片（2）上，/n- 借助于膜辅助模制直接在发光二极管芯片（2）和磷光体本体（3）周围模制封装本体（5），其中，至少在某些地方，牺牲层（4）的背离磷光体本体（3）的顶面（40）保持未被模制膜（61）密封，以及/n- 去除牺牲层（4），使得磷光体本体（3）的顶侧（30）不含牺牲层（4）。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种用于生产光电半导体器件（1）的方法，其包括以下步骤：
-提供发光二极管芯片（2）和磷光体本体（3），
-将牺牲层（4）仅应用到磷光体本体（3）的顶侧（30），
-将磷光体本体（3）放置到发光二极管芯片（2）上，
-借助于膜辅助模制直接在发光二极管芯片（2）和磷光体本体（3）周围模制封装本体（5），其中，至少在某些地方，牺牲层（4）的背离磷光体本体（3）的顶面（40）保持未被模制膜（61）密封，以及
-去除牺牲层（4），使得磷光体本体（3）的顶侧（30）不含牺牲层（4）。
2.根据前一个权利要求所述的方法，
其中，由于顶面（40）未被密封，因此在模制期间，封装本体（5）部分地延伸到牺牲层（4）的顶面（40）上，并且因此延伸到磷光体本体（3）的顶侧（30）上，
其中，通过去除牺牲层（4），磷光体本体（3）的顶侧（30）完全脱离封装本体（5）。
3.根据前一个权利要求所述的方法，
其中，在去除牺牲层（4）之前，牺牲层（4）上的封装本体（5）的厚度在0.5μm与15μm之间，包括0.5μm和15μm，
其中，被封装本体（5）所覆盖的牺牲层（4）的顶面（40）的面积比例在1%与25%之间，包括1%和25%。
4.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，牺牲层（4）具有相对于封装本体（5）的材料的抗润湿性。
5.根据前一个权利要求所述的方法，
其中，牺牲层（4）包括氟化聚合物。
6.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，牺牲层（4）包括水溶性聚合物。
7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，牺牲层（4）被热去除。
8.根据前一个权利要求所述的方法，
其中，牺牲层（4）的热去除发生在180℃与280℃之间的温度下，包括180℃和280℃。
9.根据权利要求1至5之一所述的方法，
其中，通过仅利用至少一种液体的湿法喷射来去除牺牲层（4）。
技术研发人员：M·S·闻，H·C·张，T·刘，H·Y·皮，A·阿利亚斯，L·T·陈，Y·梁，A·K·H·林，W·Y·黄，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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