说明用于制造半导体层序列的方法，所述方法具有以下步骤：‑提供具有在生长侧（50a）处的生长面（51）的生长衬底（50），‑在生长侧处生长第一氮化半导体层（10），‑第二氮化半导体层（20）生长到第一氮化半导体层（10）上，其中第二氮化半...

说明了一种发射辐射的半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有芯片连接区（3），发射辐射的半导体芯片（1），以及光吸收材料（4），其中发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导...

本发明涉及压敏电阻浆糊，压敏电阻浆糊包括基体材料和嵌入到基体材料中的颗粒。不具有嵌入的颗粒的该基体材料具有小于0.8Pa·s的粘度。该嵌入的颗粒包括压敏电阻颗粒。

一种光电组件（1），包括具有腔体（100）的外壳（20），其中布置有包括用于发射光线（30、40、42、50、51、60）的发射表面（11）的光电半导体芯片（10）以及透明灌封材料（110）。所述腔体（100）具有至少一个侧壁（101）...

本发明涉及一种光电子部件（10），其包括：具有第一电接触和第二电接触的半导体芯片（100）；具有第一芯片接触表面（210）和与第一芯片接触表面相对的第一焊料接触表面（220）的第一引线框架区段（200）；以及具有第二芯片接触表面（310...

本发明涉及一种光电组件（10），包括：具有第一电接触、第二电接触的光电半导体芯片（100）；第一导体框部分（200），其具有第一芯片接触表面（210）以及与所述第一芯片接触表面相对的第一焊接接触表面（220）；以及第二导体框部分（300...

本发明涉及一种用于光电子器件的功率谱的数据压缩的编码方法，其中所述光电子器件的至少一个功率谱被提供并且在特定的采样波长处被采样，以产生离散输出谱。该离散输出谱被加索引，以产生具有离散输出值的输出图，而且波长被连续的输出索引替换。通过离散...

本发明涉及用于生产光电照明器件的方法，包括以下步骤：提供载体，其上布置有至少一个发光二极管，所述至少一个发光二极管包括在发光二极管的操作期间发射光的表面；执行注入模制处理以便通过如到发光表面那么远进行模制来包封所述发光二极管，以使得形成...

说明了一种用于制造光电子器件的方法。提供半导体芯片，其具有适于产生辐射的有源层并且被布置在载体上。将弥散材料至少局部地施加在半导体芯片上和/或载体上。该弥散材料包含基质材料和嵌入基质材料中的颗粒。在施加弥散材料之前对半导体芯片的背离载体...

说明一种发光装置（1），包括·‑光学体（3），该光学体具有·‑主延伸方向（Z），·‑辐射入射面（3a）以及·‑辐射出射面（3b），以及·‑至少两个发光二极管（2），所述发光二极管分别包括·‑至少一个发光二极管芯片（21）以及·‑辐射透射...

一种光电组件包括外壳主体，在外壳主体的上面上形成腔体。更进一步地，通道被形成在外壳主体的上面上，所述通道远离腔体地朝向外壳主体的上面的外边沿延伸。

本发明涉及包括具有辐射发射表面的光电半导体芯片的光电组件。光学元件被布置在所述辐射发射表面上。所述光学元件具有光散射颗粒集成到其中的材料。所集成的光散射颗粒的浓度具有梯度，所述梯度形成关于所述辐射发射表面从90°偏离的角度。

说明一种用于制造光电子半导体器件的方法，具有如下步骤：‑ 提供载体（1）；‑ 将至少一个光电子半导体芯片（2）布置在载体（1）的上侧（1a）；‑ 用模塑体（3）改造至少一个光电子半导体芯片（2），其中模塑体（3）覆盖至少一个光电子半导体...

说明一种转换元件，其具有包括无机玻璃的薄板并且具有第一转换器颗粒。第一转换器颗具有外壳和核。外壳包括无机材料，并且核包括氮化的氧氮化的发光物。第一转换器颗粒被布置在薄板上和/或中。

一种带有衬底的光电子半导体本体具有张紧层，该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底上。张紧层具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹部。在第二外延步骤中，在张紧层上施加了另外的层，该另外的层将所述至少一个凹部填充并且至少局部地覆盖该张紧层。至少一...

说明一种电子组件，具有：基体（100）和电子器件（2），所述基体具有上侧（1A）以及与上侧相对的下侧（1B），其中基体（100）在其下侧（1B）处具有连接位置（A1、A2），所述电子器件在基体（100）处布置在基体（100）的上侧（1A...

说明一种具有第一发光材料（1）和第二发光材料（2）的发光材料混合物，其中在用蓝色光激发时，第一发光材料（1）的发射光谱在大于或等于540nm并且小于或等于560nm的波长情况下在黄绿色光谱范围中具有相对强度最大值，并且第二发光材料（2）...

本发明涉及一种光电子部件，其包括引线框架、连接到所述引线框架的模制构件以及布置在所述引线框架上的光电子半导体芯片。所述引线框架具有对准孔。所述模制构件具有凹部，通过所述凹部，所述引线框架在所述对准孔的区域中被暴露。本发明还涉及一种用于产...

说明了一种光电子半导体器件，包括：载体，具有上侧和与上侧相对的下侧；至少一个布置在上侧处的具有辐射出射面的发射辐射的半导体部件；吸收辐射的层，被设立用于吸收射到器件上的环境光；和布置在载体的至少一个连接部位上方的至少一个层开口，其中吸收...

本发明涉及一种用于处理光电组件（101）的方法，所述光电组件（101）包括：光源（103），其具有由一个或多个发光二极管形成的至少一个发光区（105）；以及收纳光源（103）的容座装置（107），所述方法包括以下步骤：确定（1101）光...