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奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司专利技术
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司共有665项专利
发光半导体组件制造技术
本发明涉及一种光电组件,包括:支承体(2),其具有安装表面(3);至少一个发光元件(6),其被布置在安装表面(3)上并且被以导电方式连接到支承体(2);以及至少一个加强体(12),被集成在光电组件(1)中。
光电子器件以及用于制造光电子器件的方法技术
用于制造光电子器件的方法包括以下步骤:提供具有表面的半导体晶体;将具有电介质的第一层施加到表面上;在第一层上施加以及结构化光刻胶层,其中光刻胶层被结构化,使得光刻胶层具有开口;部分地溶解掉第一层,以便暴露表面的横向区域;在表面的横向区域...
边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法技术
本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管(1),其具有外延半导体层堆叠(2)和平面化层(3)。所述半导体层堆叠具有基体(2a)和π形截面波导(2b),其中基体(2a)具有用于产生电磁辐射的活性层(...
光电组件和具有光电组件的电子器件制造技术
本发明涉及一种包括具有外表面(230)(或者可能地第一侧向表面(230))的外壳(200)的光电组件(100)。在顶侧(210)上,所述外壳(200)具有芯片容纳空间(270),其中布置有光电半导体芯片(500)。所述外壳(200)具有...
用于制造光电子器件的方法技术
一种用于制造光电子器件(10)的方法包括如下步骤:提供衬底(100),该衬底(100)具有布置在所述衬底(100)的表面(101)上的光电子半导体芯片(200);提供具有下部层(310)和上部层(330)的掩膜(300),其中所述下部层...
具有壳体的光电子装置制造方法及图纸
本发明涉及具有壳体的光电子装置。用于光电子部件的壳体尤其包括具有第一表面区域(21)和第二表面区域(22)的主表面(2),其中第一表面区域(21)和第二表面区域(22)形成主表面(2)中的阶梯,第一表面区域(21)和第二表面区域(22)...
由于重晶格具有提高的ESD电阻的基于GAN的光电子器件及其制造方法技术
光电子器件(10)包括半导体层结构(100),所述半导体层结构具有作为有源层(140)的量子薄膜结构和p型掺杂层(160),所述p型掺杂层被布置在量子薄膜结构(140)之上。所述p型掺杂层(160)包括至少一个第一子层(161)和第二子...
用于照明环境的方法、照明设备以及包括照明设备的相机技术
本发明涉及用于借助于电磁辐射来对其中周围光的相关色温被确定的环境进行照明的方法。电磁辐射的谱性能被以如下这样的方式选取:谱性能的跨380nm和780nm之间的波长区间的积分具有标称值,谱性能的跨420nm和460nm之间的波长区间的积分...
光电组件制造技术
本发明涉及用于生产光电组件的方法,包括步骤:提供具有载体表面的载体,所述载体表面的第一横向区段相对于所述载体表面的第二横向区段抬升;在所述载体表面上布置具有第一表面和第二表面的光电半导体芯片,所述第一表面朝向所述载体表面;以及形成包括面...
波长转换元件、光电组件和印刷模版制造技术
波长转换元件采用具有带有外部轮廓的基本形状的小平坦板的形式。波长转换元件具有相对于基本形状的凹入,所述凹入由限制边沿限制。小于90°的角度被形成在限制边沿和外部轮廓相遇的每个点处。
陶瓷变换元件、具有它的半导体芯片及其制造方法技术
说明一种陶瓷变换元件、具有它的半导体芯片及其制造方法。所述陶瓷变换元件(1)具有:活性的陶瓷层(2),其适于将第一波长范围的电磁辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的电磁辐射,载体层(3),其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范...
光电子半导体芯片和光电子模块制造技术
说明一种光电子半导体芯片(1),该光电子半导体芯片具有载体(5)和布置在载体(5)上的具有半导体层序列的半导体本体(2),其中所述半导体层序列包括有源区域(20),所述有源区域被布置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间并且被...
光电子器件及其制造方法技术
一种光电子器件包括塑料壳体,第一引线框架部分被嵌入到所述塑料壳体中。所述第一引线框架部分的芯片着陆面和焊接接触面至少部分地并未被所述塑料壳体覆盖。所述焊接接触面具有槽。所述槽并没有被所述塑料壳体的材料覆盖。
光学元件以及包括光学元件的光电组件制造技术
一种光学元件具有第一表面和第二表面。具有在第二方向上定向的多个齿的齿结构被布置在所述第一表面上。具有在第一方向上定向的多个阶梯的阶梯化透镜被布置在所述第二表面上。
光电组件制造技术
一种包括载体衬底层(10)的光电组件(1),其中载体衬底层(10)具有在晶片级在前段工序中预先构建于载体衬底层(10)之中或之上的多个电路(200)。发光二极管(100)设置在载体衬底层(10)上,发光二极管(100)的辐射特性、亮度和...
边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法技术
本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管(1),其具有外延半导体层堆叠(2)和平面化层(3)。所述半导体层堆叠具有基体(2a)和π形截面波导(2b),其中基体(2a)具有用于产生电磁辐射的活性层(...
光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术
本发明涉及一种包括载体(10)、半导体层序列(20)、连接层(30)、转换元件(40)的光电子器件,该半导体层序列被设置用于发射电磁一次辐射并且被布置在载体(10)上,其中半导体层序列(20)具有背向载体(10)的辐射主侧,该连接层直接...
光电子部件及其制造方法技术
本申请涉及包括以下步骤的制造光电子部件的方法:提供具有第一表面的光电子半导体芯片;在第一表面上沉积牺牲层;形成模制体,其中光电子半导体芯片被至少部分嵌入在该模制体中;以及去除牺牲层。
用于制造半导体激光器元件的方法和半导体激光器元件技术
在至少一个实施方式中设立用于制造半导体激光器元件(1)的方法并且该方法包括如下步骤:A)提供具有用于半导体激光器元件(1)的多个载体(2)的载体复合件(20),B)提供具有多个半导体激光二极管(3)的激光器条(30),所述半导体激光二极...
带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件制造技术
一种光电半导体组件具有带有上侧和下侧的体发射蓝宝石倒装芯片,其被嵌入在带有上侧和下侧的光学透明模具主体中。
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