在不同的实施例中，提供了用于制造用于电子器件（60）的器件载体的方法，其中首先提供导体框架片段（30）。导体框架片段（30）具有导电材料。导体框架片段（30）具有用于构造第一电接触元件（42）的第一接触片段（32）、用于构造第二电接触元...

本发明涉及一种激光光源，尤其是用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源，包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组，在基底上具有有源区，其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射，通过所述半导体层组的侧...

说明一种用于制造光电子半导体芯片的方法，具有如下步骤：将光电子半导体层序列（2）生长在生长衬底（1）上，通过借助气溶胶沉积方法沉积电绝缘材料的颗粒，在光电子半导体层序列（2）的背离生长衬底（1）的侧上构造电绝缘层（4），在构造电绝缘层（...

说明了一种转换元件（10），其包括散射层（12），反射层（14），和布置在散射层（12）和反射层（14）之间的转换层（16）。散射层（12）被构造用于允许由背离转换层（16）的一侧投射到该散射层上的初级辐射（18）的第一部分（20）穿透...

在有机发光二极管（1）的至少一个实施方式中，该有机发光二极管（1）包括镜（3）和有机层序列（4）。该有机层序列（4）包含用于生成第一辐射的第一活性层（41）以及用于生成第二辐射的至少两个第二活性层（42，43）。活性层（41，42，43...

本发明公开了一种有机电子器件，其对潮气和氧化剂是敏感的，包括基板、包括活性元件且具有地形台阶的有机功能区域、位于该有机功能区域上的活性聚合物隔层，该隔层能够结合潮气和氧化剂并且平坦化该有机功能区域的地形台阶。一个罩封装该有机功能区域和该...

说明了一种带有层堆叠的半导体芯片，该层堆叠具有第一半导体层序列（21a）以及第二半导体层序列（21b）。第一半导体层序列（21a）具有第一导电类型的第一半导体区域（2a）、第二导电类型的第二半导体区域（2b）和布置其间的有源区（1a）。...

一种连接载体（1）被公开，所述连接载体具有至少一个用于将所述连接载体（1）固定在安装载体（61）上的凹处（30）和至少两个相互电绝缘的接触面（20）。所述接触面被设置用于在借助穿过所述凹处（30）延伸的固定装置（51）来固定所述连接载体...

提供一种光电子半导体芯片，具有：多个有源区（1），所述有源区彼此间隔地布置，以及反射层（2），所述反射层被布置在所述多个有源区（1）的下侧（1a）上，其中-所述有源区（1）中的至少一个具有主延伸方向（R），所述有源区（1）中的一个具有核...

本发明涉及一种光电半导体器件，带有：载体，该载体由相互绝缘的至少两个载体条构成，其中所述载体条具有陶瓷材料或金属材料，所述载体还有安装面以及至少一个穿孔，其中所述穿孔从所述安装面延伸至所述载体的与所述安装面对立的底面，使得所述载体完全被...

说明了一种具有电绝缘的基体（1）的LED模块（10）。LED模块（10）具有底面（11）和与底面（11）相对的安装面（12）。在安装面（12）上布置多个电连接接触部（2），其中这些连接接触部（2）不与所述底面（11）邻接。在基体（1）中...

本发明说明一种用于暂时电接触具有多个接触面（93,94）的器件装置（9）的方法。具有布置有接触突起部（2）的多个连接面（11,12）的连接载体（1）被提供。连接载体（1）和器件装置（9）被连结在一起，使得连接面（11,12）和所分配的接...

说明了一种带有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射（13）的有源层（3），其中该发光二极管芯片（1）在前侧上具有辐射出射面（4）。在与辐射出射面（4）相对的背侧上，发光二极管芯片（1）至少局部地...

提供一种发光半导体芯片，该半导体芯片包括：具有像素区域的半导体主体，像素区域具有至少两个电隔离的子区域，每个子区域包括在操作期间生成第一波长范围的电磁辐射的有源层，在至少一个子区域的辐射发射面积之上的单独地制造的陶瓷转换管芯，所述转换管...

本发明提出一种发射辐射的半导体芯片(1)，包括：带有活性区(3)的半导体本体(2)，该活性区发射非极化的辐射，这种辐射带有第一极化的第一辐射部分(S1)和第二极化的第二辐射部分(S2)；格栅结构(4)，该格栅结构用作延迟板或极化过滤器，...

说明一种半导体激光二极管，具有以下特征：－衬底（1），－在衬底（1）上带有至少一个被设立用于生成激光光线（30）的有源层（3）的半导体层序列（2），所述激光光线（30）在运行中沿着辐射方向（50）被辐射，和－至少一个滤波层（9），所述滤...

说明一种用于对来自发光半导体芯片（5）的光进行光耦合输出和/或变换的光学元件，具有选自波长变换层（1）、散射层（2）、光耦合输出层（3）和透镜层（7）的至少一个层，这些层分别具有能够在模压方法中处理的合成材料。此外，还说明一种具有带发光...

一种带有衬底（102，132，202）的光电子半导体本体（100）具有张紧层（104，134，160），该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底（102，132，202）上。张紧层（104，134，160）具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹...

说明了一种用于制造半导体器件的方法，其中提供载体衬底（2），该载体衬底具有安装区域（2a）和第一凹部（2b），该第一凹部构造在载体衬底（2）的安装区域（2a）中。在半导体芯片（1）的安装之后，将电绝缘层（4）施加在载体衬底（2）上，使得...

本发明说明一种用于至少一个半导体芯片(7)的连接载体(1)，其中，所述连接载体具有包括主面(20)的载体主体(2)。在主面上形成第一连接面(31)和与所述第一连接面有间隔的第二连接面(32)。连接载体具有机械去耦装置(5)，所述机械去耦...