【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光电子半导体器件的方法和这样的半导体器件本专利技术涉及用于制造包括载体衬底和半导体芯片的光电子器件的方法。此外，本专利技术还涉及这样的光电子半导体器件。在制造带有尤其是具有单侧电接触部的薄半导体芯片的半导体器件时，需要精确的校准过程，以便将半导体芯片安装到载体衬底上。在此，例如在半导体芯片的P接触区域和η接触区域之间具有环状隔离的半导体芯片中，该环状区域没有独立地并且机械地由载体衬底支持。这种机械上不被支持的、用于接触分离单侧电接触部的区域不利地导致减小的机械稳定性并且由此导致易通过外部机械影响损坏。本专利技术的任务是说明一种制造方法，该方法避免了上述的缺点，由此有利地得到机械稳定的半导体器件，其中在该制造方法中同时能够实现简化的芯片校准。该任务通过具有权利要求1的特征的制造方法来解决。此外，该任务通过具有权利要求12的特征的光电子半导体器件来解决。所述制造方法和半导体器件的有利的改进方案是从属权利要求的主题。在一种实施方式中，用于制造光电子半导体器件的方法包括下面的方法步骤: Al)提供至少一个半导体芯片，其具有适于产生辐射的有源层， Α2)提供载体衬...
【技术保护点】
用于制造光电子半导体器件的方法，包括下面的方法步骤：A1）提供至少一个半导体芯片（1），其具有适于产生辐射的有源层（1a），A2）提供载体衬底（2），该载体衬底具有至少一个用于半导体芯片（1）的安装区域（2a）和至少一个第一凹部（2b），该第一凹部构造在载体衬底（2）的安装区域（2a）中，B）将半导体芯片（1）安装在载体衬底（2）的安装区域（2a）上，C）将电绝缘层（4）施加在载体衬底（2）的背离半导体芯片（1）的侧上，使得电绝缘层（4）将载体衬底（2）的第一凹部（2b）完全填满，D）在电绝缘层（4）中构造至少一个第二凹部（4a），其中该第二凹部（4a）构造在载体衬底（2）...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.06 DE 102011103412.21.用于制造光电子半导体器件的方法，包括下面的方法步骤: Al)提供至少一个半导体芯片(I )，其具有适于产生辐射的有源层(la)， A2)提供载体衬底(2)，该载体衬底具有至少一个用于半导体芯片(I)的安装区域(2a)和至少一个第一凹部(2b)，该第一凹部构造在载体衬底(2)的安装区域(2a)中， B)将半导体芯片(I)安装在载体衬底(2)的安装区域(2a)上， C)将电绝缘层(4)施加在载体衬底(2)的背离半导体芯片(I)的侧上，使得电绝缘层(4)将载体衬底(2)的第一凹部(2b)完全填满， D)在电绝缘层(4)中构造至少一个第二凹部(4a)，其中该第二凹部(4a)构造在载体衬底(2)的第一凹部(2b)的区域中，以及 E)将导电层(5)施加在电绝缘层(4)的背离载体衬底(2 )的侧上，使得导电层(5 )填满电绝缘层(4)的第二凹部(4a)作为贯通接触部(5b)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，半导体芯片(I)在朝向载体衬底(2)的侧上具有两个相互电绝缘的电接触区域(lb，lc)，其中在于垂直方向上与所述两个接触区域(lb，Ic)之一相邻的区域中构造第一和第二凹部(2b，4a)。3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，第二凹部(4a)的直径(D4)被构造为小于第一凹部(2b)的直径(D2)。4.根据权利要求3所述的`方法，其中，第一凹部(2b)具有至少70μ m并且至多90 μ m的直径(D2)，第二凹部(4a)具有至少10 μπ?并且至多30 μπ?的直径(D4)。5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，第二凹部(4a)至少部分地构造在第一凹部(2b)中。6.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，贯通接触部(5b)点状地构造。7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，在方法步骤E)之后对导电层(5)进行结构化。8.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，在方法步骤E)之后: -将半导体芯片(I)的与载体衬底(2)相对的耦合输出面打毛...
【专利技术属性】
技术研发人员：S赫尔曼，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：
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