一种具有桥形波导结构的激光光源，该激光光源具有带多个功能层（4）和有源区域（45）的半导体层序列（10），所述有源区域适于在运行时产生激光，其中功能层（4）中的至少一个构造为桥形波导结构的桥（11），并且其中半导体层序列（10）具有模滤...

说明一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法，具有下列步骤：a)提供载体(1)，该载体具有第一表面(11)和与该第一表面(11)相对置的第二表面(12)；b)在载体(1)的第一表面(11)上设置至少一个光电子半导体芯片(2)，其中该光...

说明了一种用于制造光电子器件（10）的方法。提供半导体芯片（2），其具有适于产生辐射的有源层并且被布置在载体（1）上。将弥散材料（3）至少局部地施加在半导体芯片（2）上和/或载体（1）上。该弥散材料包含基质材料（31）和嵌入基质材料中的...

本发明公开了一种具有载体（1）的光电子器件，在该载体上布置至少一个第一发光半导体芯片（11）和反并联接线的第一吸光半导体芯片（12）以及至少一个第二发光半导体芯片（21）和反并联接线的第二吸光半导体芯片（22），其中这些半导体芯片（11...

说明一种制造多个光电子器件用的导体框架（1），所述导体框架具有至少一个安装区域（2），所述安装区域（2）具有多个半导体芯片用的多个芯片安装面（8）。在安装区域（2）旁边在导体框架（1）的至少一个主面（3，4）处构造用于减小导体框架（1）...

本发明涉及光学元件（10），具有光学系统主体（1）和多个微结构（2，2a），其中光学系统主体（1）被构造为半壳层并且具有内面（1a）和外面（1b）。微结构（2，2a）至少局部地构成光学系统主体（1）的内面和/或外面（1a，1b），并且是...

说明了一种用于半导体层序列的支承衬底（10），该支承衬底（10）具有第一主面（11）和与第一主面对置的第二主面（12）。在第一主面与第二主面之间构造有二极管结构（2），该二极管结构（2）使第一主面与第二主面至少针对电压的一个极性电绝缘。...

一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法，具有以下步骤：a)提供载体（1）和在载体（1）的上侧（12）处施加多个在横向方向（L）上彼此有间距布置的光电子半导体芯片（2）；b)将至少一个反射性包封（3）施加在载体（1）的露出部位以及光电...

说明一种具有活性的陶瓷层（2）的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外，陶瓷变换元件（1）包括载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可...

本发明涉及柔性多层封装材料和具有该封装材料的电子器件，具体公开了一种活性保护对潮气和氧化剂敏感的物体的柔性多层封装材料，其包括能够结合潮气和氧化剂的至少一个活性聚合物阻隔层，和至少一个陶瓷阻隔层。活性聚合物阻隔层和陶瓷阻隔层的组合极大地...

描述了一种用于制造光电子器件（100、101、200、201）的方法。首先提供腔体（103）。紧接着，流体基质材料（112）被引入到腔体（103）中。在基质材料（112）中分布有发光材料颗粒（114）。紧接着，半导体芯片（110）被引入...

本发明设置具有第一器件（1）和第二器件（2）的发光二极管模块（100），其中该模块（100）具有第一运行模式（M1）和第二运行模式（M2）。第一器件（1）具有第一光流（P1）。第二器件（2）具有第二光流（P2）。在第一运行模式（M1）中...

在用于制造光电子器件的方法中，提供具有第一热膨胀系数的生长衬底（10）。将多层缓冲层序列（11）施加到生长衬底上。接着，外延沉积层序列（2），其具有不同于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。此外，该层序列还包括用于发射电磁辐射的有源层。接着...

说明一种具有载体(2)和有用层(5)的复合衬底(1)，其中所述有用层借助介电连接层(3)固定在所述载体(2)上并且所述载体(2)包含辐射转换材料。此外，说明一种具有这样的复合衬底的半导体芯片(10)、一种用于制造复合衬底的方法以及一种用...

给出了用于光电子半导体芯片的载体，其中所述载体(1)具有载体主体(2)，载体主体(2)带有第一主面(21)以及与所述第一主面(21)位置相对的第二主面(22)。在所述载体主体(2)中构成至少一个电气导通孔(31)，所述电气导通孔(31)...

在用于制造光电部件的方法中，在衬底(8)上提供一种外延生长的层序列(9)。在所述层序列(9)上沉积金属层(10)并且随后在所述金属层上施加成型载体(12)。所述成型载体具有载体材料(23,21)以及与所述载体材料(23,21)作用连接的...

说明了一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，其中提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面。将压缩松弛的缓冲层堆叠（3）施加在所述生长衬底（2）上。将半导体层堆叠（1）变质地外延...

说明了一种光电子半导体器件（100），包括-载体（1），所述载体具有上侧（11）和与上侧（11）相对的下侧（12）；-至少一个布置在上侧（11）处的具有辐射出射面（6）的发射辐射的半导体部件（2），在半导体部件（3）运行中所产生的电磁辐...

说明了一种光电半导体芯片（10），其包括半导体层堆叠（2）和转换层（3）。半导体层堆叠（2）具有用于产生辐射的有源层（2a）。转换层（3）布置在半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）上，其中转换层（3）适于将由有源层（2a）发射的辐射中...

本发明说明一种光电子半导体器件，包括载体（1），所述载体具有上侧（12）和与上侧（12）相对的下侧（11），其中载体（1）利用导电的安装区域（1A）、导电的连接区域（1C）以及电绝缘的氧化区域（1B）构成；至少一个在载体（1）的上侧处布...