说明了一种用于半导体层序列的支承衬底（10），该支承衬底（10）具有第一主面（11）和与第一主面对置的第二主面（12）。在第一主面与第二主面之间构造有二极管结构（2），该二极管结构（2）使第一主面与第二主面至少针对电压的一个极性电绝缘。此外，说明了一种用于制造具有支承衬底的半导体芯片（3）的方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：EKM京特，A普勒斯尔，H祖尔，T维特，M肯普夫，J邓内马克，B贝姆，K珀兹尔迈尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。