陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法技术

说明一种具有活性的陶瓷层（2）的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外，陶瓷变换元件（1）包括载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：U利波尔德，D艾泽特，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：