本发明说明一种光电子部件，带有：-载体（1），其具有第一主面（1a），-至少一个无衬底的光电子半导体芯片（2），以及-接触金属化物（3a，3b），其中-所述载体（1）是电绝缘的，-所述至少一个光电子半导体芯片（2）借助连接材料（4）、尤...

电子器件、尤其是光学或光电子器件包括具有热塑性塑料（5）的组件（6），该热塑性塑料具有包括核和包裹物的颗粒（1），其中所述包裹物设置在核的表面上并且其中所述核包括铝。

本发明涉及一种一种具有发光面和多个光电子器件的照明设备，这些光电子器件分别具有光学有源区，其中该光学有源区包括：至少一个半导体芯片，该半导体芯片被设计用于产生电磁辐射；射束成形元件，半导体芯片在工作中发射的电磁辐射的至少一部分通过该射束...

本发明公开了一种光源，其包括发光装置（1），其从发射表面（18）发出电磁辐射，以及光学元件（2），其具有光输入表面（21）、光输出表面（22）和连接该光输入表面与光输出表面的侧表面（23）。该光输入表面（21）位于发光装置（1）的光路中...

说明一种光电子半导体本体，其包含由第一成分和与第一成分不同的第二成分组成的半导体材料。该半导体本体具有布置在n导通层（1）和p导通层（5）之间的量子阱结构。该量子阱结构由以下元件构成：单个的量子阱层（31）或由多个量子阱层（31）和至少...

一种用于制造针对辐射的滤波材料的合成物，其包括：硅氧烷，以及分散在硅氧烷中的至少一种颜料，其中该合成物针对在400nm到700nm之间的波长的辐射具有小于20％的相对透射率，并且针对在850nm到1025nm之间的波长的辐射具有超过50...

设计了一种宽条激光器(1)，其具有带有上侧(22)和下侧(23)的外延层堆叠(2)。层堆叠(2)具有产生辐射的有源层(21)。此外，层堆叠(2)具有沟槽(3)，其中层堆叠(2)的至少一个层被至少部分地去除，并且沟槽从上侧(22)朝着下侧...

本发明提出了一种光电子半导体器件，带有：第一支承体(1A)，其具有上侧(11A)以及与第一支承体(1A)的上侧(11A)对置的下侧(12A)，其中第一支承体(1A)具有第一区域和第二区域(B1，B2)；至少一个光电子半导体芯片(2)，其...

本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖...

提出了一种边发射的半导体激光器，具有半导体本体(10)，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2a)、第二波导层(2b)和设置在第一波导层(2a)和第二波导层(2b)之间的用于产生激光辐射(5)的有源层(3...

提供一种光电半导体器件（１００），该器件带有：载体（１），该载体有安装面（１１）以及至少一个穿孔（３），其中穿孔（３）从安装面（１１）延伸至载体（１）的与安装面（１１）对立的底面（１２）；至少一个固定在安装面（１１）上的光电半导体芯片（...

在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方...

本发明涉及一种具有半导体本体的发射辐射的半导体元件，该半导体本体包含第一主表面(5)、第二主表面(9)和具有产生电磁辐射的有源区(7)的半导体层序列(4)，其中该半导体层序列(4)被布置在第一和第二主表面(5，9)之间，第一电流扩展层(...

在光电子半导体部件(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体部件包括：外延生长的半导体本体(2)，其带有至少一个有源层(3)。此外，半导体部件(1)的半导体本体(2)具有至少一个势垒层(4)，其中所述势垒层(4)直接与所述有源层(3)邻...

说明了一种接收辐射的半导体器件，其具有：半导体本体(1)，其以硅形成并且具有辐射入射面(1a)以及吸收区(2)，在吸收区中吸收通过辐射入射面(1a)进入半导体本体(1)的电磁辐射(10)，其中吸收区(2)具有最大10μm的厚度(d)；滤...

说明一种光电半导体组件，该光电半导体组件具有：—多个矩阵状布置的、发射辐射的半导体芯片（２），其中半导体芯片（２）被施加在共同的载体（１）上，—至少一个转换元件（３），该转换元件排在至少一个半导体芯片（２）后面以转换从半导体芯片（２）发...

给出了一种光电子半导体器件，其具有：至少一个发射辐射的半导体芯片（３）；至少一个布置在半导体芯片（３）的下游的转换器元件（４），用于转换由半导体芯片（３）在工作时所发射的电磁辐射，其中转换器元件（４）在用环境光照射时发射有色光；用于漫散...

一种用于制造照明用具的方法提出提供用作为热沉的载体，该载体包括平面芯片安装区域。为了产生第一子区域和至少一个第二子区域对该平面芯片安装区域进行结构化。在此第一子区域在结构化以后具有排斥焊剂的特征。接着在该平面芯片安装区域上施加焊剂，从而...

提出了一种用于制造多个ＬＥＤ照明装置（１００）的方法，所述ＬＥＤ照明装置分别发射具有第一光度量的平均值（１００ａ）的光。制造发射几乎同色的光的多个ＬＥＤ芯片（１）。接着测量相应的ＬＥＤ芯片（１）的第一光度量的值。根据测量结果，分别将具有...

在发光装置（１）的至少一个实施形式中，该发光装置包含：至少一个半导体激光器（２），其构建为发射波长在３６０ｎｍ到４８５ｎｍ之间的初级辐射（Ｐ），其中包括边界值。此外，发光装置（１）包括至少一个转换装置（３），其设置在半导体激光器（２）之...