本发明涉及发光二极管装置、照明设备及制造发光二极管装置的方法。本发明公开了一种具有至少一个高功率发光二极管(34)的发光二极管装置，其中将高功率发光二极管(34)安装到柔性印刷电路板(10)上。在此，该发光二极管装置的特征首先在于它的简...

本发明涉及一种具有变化的光密度的发光装置，其包括：衬底(400)，在该衬底上的第一电极面(300)，在第一电极面上的至少一个发光功能层(220)，以及在发光功能层上的第二电极面(100)，在发光功能层的光路中的光耦合输出层(500)，其...

本发明涉及一种根据预先给定的人眼的光谱灵敏度分布(9)的用于探测辐射的辐射探测器，其中所述灵敏度分布(9)在波长λ0’处具有最大值，所述辐射探测器包括半导体本体(1)，所述半导体本体(1)具有用于产生探测器信号的且为了辐射接收而设置的有...

本发明涉及用于空穴传输层的ｐ型掺杂的新型材料，如式（１）给出的噻唑啉化合物，其中通过所述材料的较高蒸发温度和／或玻璃形成特性来克服现有技术的缺点，尤其是已知ｐ型掺杂材料的较差可蒸发性。

一种光电子装置（１）包括功率发光二级管（１０）和调节发光二级管（２０）。由功率发光二级管（１０）来发射具有第一发射光谱（ＥＬ）的第一辐射（ＳＬ）。由调节发光二极管（２０）发射具有第二发射光谱（ＥＥ）的第二辐射（ＳＥ）。光电子装置（１）的...

本发明的一个实施例提出一种发光器件，该发光器件包括：辐射源（５），用于发射具有至少第一波长的辐射（１１）；以及伸长的、弯曲的光导体（２０），由辐射源发射的辐射（１１）耦合到光导体（２０）中，并且光导体（２０）根据具有第一波长的耦合输入的...

一种用于发光二极管显示装置（２）的透镜装置（６）包括透镜（８）。该透镜（８）具有第一透镜面和光轴。该光轴穿过透镜（８）的第一透镜面。此外，该透镜装置（６）包括透明的过渡体（１０），该透明的过渡体在第一透镜面上与透镜（８）牢固地耦合，该透...

说明了一种边发射半导体激光器芯片（１），其具有：－至少一个接触带（２），其中所述接触带（２）具有宽度Ｂ；－有源区（１４），在半导体激光器芯片（１）工作时在该有源区（１４）中产生电磁辐射；－至少两个电流势垒（４），所述电流势垒（４）被布置...

一种激光源尤其包括具有活性区域（４５）和射线输出耦合面（１２）的半导体层序列（１０）和滤波结构（５），所述射线输出耦合面（１２）具有第一子区域（１２１）和与第一子区域（１０）不同的第二子区域（１２２），其中所述活性区域（４５）在运行时生...

本发明涉及一种发射辐射的装置，包括衬底（１００）和设置在衬底上的层序列。层序列包括：第一电极面（２００），该电极面具有用于施加电压的第一接触部（２１０）；至少一个功能层（３００），该功能层在工作中发射辐射；以及第二电极面（４００）。在该...

本发明描述了一种发光二极管半导体本体（１），包括至少一个产生射线的第一有源层（３１）和至少一个产生射线的第二有源层（３２），其中该发光二极管半导体本体（１）具有光子晶体（６）。此外，本发明描述了这种发光二极管半导体本体（１）的应用。

本发明涉及一种光电子半导体器件，具有：基本体（１）、设置在该基本体上的至少一个半导体芯片（３）和嵌有所述至少一个半导体芯片（３）的包封物（６），该包封物由具有散射颗粒的透射辐射的材料构成。根据本发明，该光电子半导体器件的特征在于，具有吸...

本发明涉及一种有机半导体材料，尤其是可在有机电子器件中用作半导体材料的材料。在此，该材料组分包括来自下述式（Ⅰ）结构的杂环母体化合物的低聚亚苯基。

本发明提出了一种辐射检测器（１），其具有：检测器装置（２），该检测器装置具有多个检测器元件（４，５，６），借助所述检测器元件在辐射检测器工作中获得检测器信号（ＤＳ）；以及调节装置（３），其中检测器元件分别具有光谱灵敏度分布（４００，５０...

本发明涉及一种辐射发射体，包括层序列，该层序列具有用于生成电磁辐射的活性层（１０），具有反射所生成辐射的反射层（５０）和具有至少一个布置在活性层（１０）和反射层（５０）之间的中间层（４０）。在此活性层（１０）在朝向反射层（５０）的界面（...

一种带有至少一个金属本体（１５）和层序列（１７）的光电子器件（１０），该层序列施加在基体（１１）上并且构造用于发射电磁辐射并且其中在至少一个侧面上施加绝缘物（１２），其中所述至少一个金属本体（１５）施加到绝缘物（１２）的至少一个区域上并...

在外延衬底（１）上制造对于发光二极管或者其它光电子器件以薄膜技术设置的层结构（５，６，７），并且该层结构（５，６，７）被配备有第一连接层（２），该第一连接层（２）包括一种或者更多种焊接材料。在支承体（１０）上整面地涂敷第二连接层（３），...

提出了一种半导体器件，其发射带有第一偏振方向的偏振辐射。该半导体器件具有芯片壳体、半导体芯片和远离芯片的偏振滤光器。

具有至少一个光电半导体器件的装置具有适于承载所述至少一个光电半导体器件的载体元件装置。该装置具有由吸光的合成材料构成的壳体本体，所述壳体本体被设置在所述载体元件装置处。所述壳体本体包括升高区域和回退区域。在升高区域与回退区域之间构造有倾...

一种发射辐射的装置（４０），其具有：第一有源半导体层（１２），其构造用于发射电磁辐射并且用于与连接电极（１８，２０）直接接触，以及另外的有源半导体层（１４），其构造用于发射电磁辐射并且用于与连接电极（１８，２０）直接接触，其中第一有源半...