用于改善有机电子元件中空穴注入的新型材料及该材料的应用制造技术

本发明专利技术涉及用于空穴传输层的ｐ型掺杂的新型材料，如式（１）给出的噻唑啉化合物，其中通过所述材料的较高蒸发温度和／或玻璃形成特性来克服现有技术的缺点，尤其是已知ｐ型掺杂材料的较差可蒸发性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于改善有机电子元件中空穴注入和空穴传输的新型材料，所述电子元件是例如有机发光二极管(OLED)、有机场效应晶 体管(OFET)和有机太阳能电池。
技术介绍
近年来， 一些特别是用于有机发光二极管的材料日益为人所知，通 过该材料OLED中空穴注入和空穴传输得到显著改善(文献Gufeng He Martin Pfeiffer， Karl Leo， Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 3911-3913 )。在同样的OLED效率下，这额外地引起工作电压的降低。所述材料 是强电子受主并且以较少的量掺杂到OLED的空穴传输层中。由此， 这些添加物促进了空穴传输材料的氧化(由此形成空穴)，否则，这仅 仅是通过电场能引起氧化。因此，在较弱的电场(这对应较低的工作电 压)下达到同样的效率。对于改善空穴传输(也称为p掺杂)的方法，所用材料的物理性质 在蒸发过程中存在问题。其中涉及蒸发性极难控制的氟化的四氰基苯醌 二甲烷，以致于这类掺杂剂不能用于批量生产的装置中，因为所述材料 通过不可控制的分布会污染装置。
技术实现思路
因此，本专利技术的任务是提供用于改善有机半导体元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于掺杂有机半导体元件的空穴传输层的材料，其特征在于，在所述材料中，受主特性与高于１５０℃的蒸发温度和／或玻璃形成特性结合存在。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯卡尼茨，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]