一种边发射半导体激光器芯片（１）具有：半导体本体（１００），其包括至少一个有源区（１４），在所述有源区（１４）中在半导体激光器芯片（１）工作时产生电磁辐射（１０）；至少一个接触带（２），其被设置在半导体本体（１００）的上侧上的盖面（１ａ...

一种发射辐射的器件，包括：支承体；设置在支承体上的半导体芯片，其中半导体芯片具有用于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面；第一接触结构和第二接触结构，用于电接触半导体芯片；第一接触层和第二接触层，其中半导体芯片通过第一接触层与第一接触结构导...

提出了一种能够表面安装的装置（１００），其具有安装侧（１０１）、与安装侧（１０１）对置的上侧（１０２）、电绝缘的支承板（１）、电器件（２）和壳体（３）。支承板（１）将所述装置（１００）朝向安装侧（１０１）封闭。此外，支承板（１）具有与安...

说明了一种具有垂直的发射方向的表面发射半导体激光器件，该表面发射半导体激光器件包括半导体本体，该半导体本体具有第一谐振器镜（２）、第二谐振器镜（４）以及适用于生成辐射的活性区（３）。第一谐振器镜（２）具有交替堆叠的第一成分的第一层（２ａ...

本发明涉及一种用于半导体元件、尤其是用于光电半导体元件的支撑体。所述支撑体具有连接层和导体层，所述连接层和导体层通过朝向彼此的主面彼此连接。所述连接层、所述导体层或不仅连接层而且导体层具有至少一个变薄的区域，所述导体层和连接层在所述区域...

说明了一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括：半导体层序列，其具有适于产生电磁辐射的有源层；以及第一电连接层，其触碰和导电接触半导体层序列。第一电连接层尤其是借助多个接触面（２１）触碰并且接触半导体层序列。在该发光二极管芯片的情况下，...

提出了一种发光模块（１），其具有：多个发射辐射的半导体器件（２）；连接支承体（３），在其上设置有发射辐射的半导体器件（２）；以及冷却体（６），冷却体在其前侧表面上与连接支承体（３）连接并且具有基本体（４）以及装置（５），所述装置构建为用...

提出了一种灯，其具有：灯杆（２）和至少两个发光二极管（４），所述发光二极管（４）设计用于在工作中发射带有彼此不同的电磁频谱（１７，１９）的电磁辐射（１２），其中所述发光二极管（４）固定在所述灯杆（２）中或者所述灯杆（２）上。

提出了一种用于制造光电子半导体器件的方法，其中将外延层序列（５）、接触层（６）和阻挡层（７）生长到生长衬底（１）上，并且通过在外延层序列（５）中产生沟槽（９）来将外延层序列（５）结构化为单个的半导体本体（８）。随后，将介电层（１１）和优...

本发明提出了一种大灯，其具有多个发光二极管发射器。在发光二极管发射器中至少一个第一组以具有至少两列和至少两行的矩阵布置，其中在第一组中一列的发光二极管发射器的第一连接类型的电端子和一行的发光二极管发射器的第二连接类型的电端子分别彼此电连...

在衬底（４）的上侧上设置有无衬底发光二极管的至少一个层堆叠（１）。接触面在衬底（４）的与上侧邻接的侧面（１４）上。发光二极管的端子通过连接线路（１０，２０）与接触面相连。接触面尤其可以通过焊接槽（５）中的导体层（６）形成在衬底（４）的垂...

提出了一种光电子器件（１０），具有：至少一个冷光二极管芯片（１），其在光电子器件的工作中发射电磁辐射（２），针对外来辐射（４）的至少一个屏蔽部（３），所述屏蔽部（３）仅仅局部侧向地围绕所述冷光二极管芯片（１），其中每个屏蔽部（３）与光电...

说明了一种光电子半导体芯片，具有：半导体本体（１），其包含有源区（１０）；镜层（２）；以及接触部位（３），其设置在半导体本体（１）和镜层（２）之间并且引起半导体本体（１）和镜层（２）之间的距离（Ｄ），由此在镜层（２）和半导体本体（１）之...

在用于制造光电子器件的方法中，提供具有第一热膨胀系数的生长衬底（１０）。将多层缓冲层序列（１１）施加到生长衬底上。接着，外延沉积层序列（２），其具有不同于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。此外，该层序列还包括用于发射电磁辐射的有源层。接着...

提出了一种发光装置（１），具有：冷却体（２），其包括覆盖面（２１）和底面（２２），以及包括两个区段（２３），其中所述两个区段（２３）相叠地设置，并且区段（２３）的每个具有侧面（２３１），所述侧面横向于冷却体（２）的覆盖面（２１）和底面（...

公开一种用于显示器的背景照明的照明设备（１）。该照明设备包括：至少一个半导体本体（３），所述半导体本体适于生成第一波长范围的电磁射线，第一波长转换物质（３０），所述第一波长转换物质在半导体本体（３）的辐射方向（８）上布置在半导体本体（３...

提出了一种照明装置，具有：光源（１），其包括至少两个发光二极管芯片（２ａ，２ｂ），所述发光二极管芯片在工作中发射彼此不同颜色的光；以及光学元件（３），其构建为由介电材料构成的实心体，其中在光源（１）的发光二极管芯片（２ａ，２ｂ）的至少之...

说明了一种用于结构化半导体表面的方法，具有如下步骤：提供第一晶片（１），其具有结构化表面（１１）；提供第二半导体晶片（３）；将光刻胶（２）施加到第二半导体晶片（３）的外表面上；通过将第一晶片（１）的结构化表面（１１）压印到光刻胶（２）中...

本发明涉及光电子半导体本体及其制造方法。说明了一种光电子半导体本体，该光电子半导体本体具有：半导体层序列(2)，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层(23)；以及第一和第二电连接层(4，6)，其中该半导体本体被设置用于从正面发射电...

本发明描述了一种具有至少一个产生辐射的第一有源层及至少一个产生辐射的第二有源层的LED半导体，该第二有源层在竖直方向上堆叠在第一有源层上并与第一有源层串联连接，其中第一有源层及第二有源层借助于接触区来导电连接。此外，本发明还描述了LED...