在不同实施例中，提供了一种用于光学器件（14）的壳体（10）。该壳体（10）具有导线框架片段（12）和成型材料（18）。导线框架片段（12）由导电材料构成，并且具有第一侧以及背向第一侧的第二侧。在第一侧处，导线框架片段（12）具有至少一...

说明了一种用于将复合体（1）分割成多个半导体芯片（10）的方法，其中提供具有载体（4）、半导体层序列（2）和金属层（3）的复合体。在载体中构造分离槽（45）。给该复合体施加机械负荷，使得金属层沿着分离槽断裂并且复合体被分割成半导体芯片，...

本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法和具有层结构的半导体激光器（1），所述层结构具有带有至少如下的层顺序的相叠加布置的层：a. n掺杂的覆盖层（10），b. 第三波导层（11），c. 有源区（6），在所述有源区中布置产生光的结构，d...

本发明涉及一种照明设备，包括四边形发光面，其中该四边形发光面具有第一侧棱边a和对置的侧棱边ag，其中该四边形发光面具有第二侧棱边b和对置的侧棱边bg，其中该四边形发光面以组件方式由至少一个第一发光模块和另外的发光模块组合而成。至少第一发...

说明了一种光电器件（1），其具有壳体（2），其中壳体（2）具有至少一个第一凹槽（3A）。该器件还具有至少一个第一半导体芯片（4A），其中第一半导体芯片（4A）布置在第一凹槽（3A）中，其中第一凹槽（3A）被构造成反射器以用于反射在第一半...

说明了一种发光半导体器件，具有-带有活性区（11）的发光半导体芯片（1），该活性区在运行中辐射具有第一频谱的光（31），-波长转换元件（2），其远离半导体芯片（1）地放置并且在具有第一频谱的光（31）的光路中布置在该半导体芯片（1）之后...

一种光电子半导体构件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片嵌入到具有上侧和下侧的电绝缘的模制体中。此外，在模制体中嵌入有通孔接触部，所述通孔接触部形成模制体的上侧和下侧之间的导电连接。在模制体的上侧上布置有反射层，所述反射层形成半导...

说明了一种陶瓷转换元件（1），具有以下特征：-具有第一发光材料（3）的第一陶瓷层（2），所述第一发光材料将第一波长范围的电磁辐射变换成第二波长范围的电磁辐射，以及-具有第二发光材料（5）的第二陶瓷层（4）,所述第二发光材料将第一波长范围...

在不同的实施例中提出一种导体框复合件（10），所述导体框复合件由导电材料形成。导体框复合件具有第一纵向元件（12）、至少一个第二纵向元件（14）、多个第一导体框区段（16）和多个第二导体框区段（18）。第二纵向元件（14）与第一纵向元件...

在各种实施方式中，提出了用于产生光发射的照明装置（100），包括：光源（102），被设立用于产生带有第一支配波长的光；第一转换体（106），其被设立用于吸收由光源（100）产生的光，以及发射具有比第一支配波长大的第二支配波长的光；以及第...

光电子器件包括衬底、施加在衬底上的连接元件、发射电磁辐射的层序列，其中层序列施加在连接元件上，其中连接元件具有至少一种连接材料，其中连接材料具有定向的分子排列并且其中连接元件具有至少一个各向异性的参数。

在至少一种实施方式中背脊激光器(1)具有带有活性区(20)的半导体层序列(2)。具有确定宽度(B)的波导(3)从半导体层序列(2)作为凸起形成。在波导(3)的背离活性区(20)的上侧(30)上施加接触金属化部(4)。通电层(5)与接触金...

说明了一种光电子装置（1），具有被设置用于接收辐射的探测器（2），该探测器安装在连接载体（5）上并且布置在框架（3）的开口（31）中。所述开口具有倾斜延伸的侧面（4），该侧面具有第一部分区域（41）和第二部分区域（42）。第一部分区域（...

在不同的实施例中提供了一种组件的制造方法，该方法具有：提供带有导电表面的衬底；其中该表面具有第一电独立区域和第二电独立区域；在第一电独立区域和第二电独立区域之间形成电位差；和在第一电独立区域或第二电独立区域上敷设带电物质或带电物质混合物...

本发明公开了显示设备和用于制造显示设备的方法。显示设备包括印刷电路板，其上设置多个光电子器件。光电子器件之间的空隙用浇注材料填充，该浇注材料具有打毛的表面。

电构件，具有：具有贯通开口（3）的闭合的导体框（2）；至少一个布置在贯通开口（3）中的电器件（5），其中电器件（5）在电子器件（5）的第一侧（11）上具有第一连接面（6）并且在电器件（5）的第二侧（12）上具有第二连接面（7），所述第二...

用于在发射辐射的半导体器件中制造结构的光刻方法，具有步骤：提供半导体晶片，将第一光刻胶层涂布到半导体晶片上，提供具有掩膜元件的掩膜，将掩膜布置在第一位置处，曝光第一光刻胶层并且将掩膜成像在第一光刻胶层中，将掩膜布置在第二位置处，重新曝光...

本发明涉及发射辐射的构件。根据至少一个本申请的实施方案，所述发射辐射的构件包括辐射源(10)和在构件的辐射通路中设置的透明材料(50)，该透明材料包含聚合物材料(PM)和填料颗粒(60)。所述填料颗粒(60)包含无机填料材料(F)和在其...

在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方...

用于制造光电子器件的方法和用于制造光电子器件的设备。在不同实施例中提出一种用于制造光电子器件的方法，该方法具有：将光电子器件的发光物质层喷溅到衬底（104）上，其中所述发光物质层的物质或物质混合物在喷溅时具有电荷，并且其中经充电的物质或...