在不同实施例中，提供了一种用于光学器件（14）的壳体（10）。该壳体（10）具有导线框架片段（12）和成型材料（18）。导线框架片段（12）由导电材料构成，并且具有第一侧以及背向第一侧的第二侧。在第一侧处，导线框架片段（12）具有至少一个用于容纳光学器件（14）的第一容纳区域和/或至少一个用于电接触光学器件（14）的接触区域（34）。导线框架片段（12）具有至少一个沟槽（20），所述沟槽（20）在导线框架片段（12）中在第一侧上被构造在容纳区域旁和/或接触区域（34）旁。导线框架片段（12）被嵌入到成型材料（18）中。成型材料（18）具有至少一个容纳凹槽（19），在该容纳凹槽（19）中露出第一容纳区域和/或接触区域（34）和沟槽（20）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于光学器件的壳体，该壳体具有导线框架片段和成型材料。导线框架片段由导电材料形成。导线框架片段具有第一侧以及背向第一侧的第二侧。在第一侧处，导线框架片段具有至少一个用于容纳光学器件的第一容纳区域和/或至少一个用于电接触光学器件的接触区域。导线框架片段被嵌入在成型材料中。该成型材料具有至少一个容纳凹槽，在该容纳凹槽中露出第一容纳区域和/或接触区域。另外，本专利技术涉及一种组件、一种用于制造用于光学器件的壳体的方法以及一种用于制造组件的方法。本专利申请要求德国专利申请DE 10 2012 215 705.0的优先权，其公开内容特此通过引用被并入。
技术介绍
用于光学器件、例如用于有源和/或电子光学器件的已知壳体、例如QFN (quadflat no leads，方形扁平无导线)壳体例如具有导线框架片段作为基本材料。QFN壳体亦被称为QFN封装和/或微导线框架(Micro Lead Frame, MLF)并且在电子学中作为集成电路(IC)的芯片壳体构造方式是已知的。名称“QFN”在本说明书中包括不同大小的IC壳体，这些IC壳体全部都可以作为表面安装部件焊接在电路板上。在本说明书中，名称“QFN”也被用于代表下列名称:MLPQ (Micro LeadframePackage Quad，微导线框架封装方形版)、MLPM (Micro Leadframe Package Micro，微导线框架封装微型版)、MLPD (Micro Leadframe Package Dual，微导线框架封装双边版)、DRMLF(Dual Row Micro Leadframe Package，双行微导线框架封装)、DFN (Dual Flat No-leadPackage，双边扁平无导线封装)、TDFN (Thin Dual Flat No-lead Package，薄型双边扁平无导线封装)、UTDFN (Ultra Thin Dual Flat No-lead Package，超薄型双边扁平无导线封装)、XDFN (extreme thin Dual Flat No-lead Package，极薄型扁平无导线封装)、QFN_TEP(Quad Flat No-lead package with Top Exposed Pad，顶部露出焊垫型方形扁平无导线封装)、TQFN (Thin Quad Flat No-lead Package，薄型方形扁平无导线封装)、VQFN (VeryThin Quad Flat No Leads Package，非常薄型方形扁平无导线封装)。作为重要特征以及与类似方形扁平封装(QFP )不同，电接线端子(管脚)不是在侧面伸出塑料封套的尺寸，而是以未镀锡的铜接线端子的形式平坦地集成到壳体的下侧中。由此，可以减少电路板上所需的空间并且实现更高的封装密度。导线框架片段从导线框架中分离出来。导线框架例如具有导电材料或者由其构成。导电材料例如具有金属，例如铜(例如CuW或CuMo)、铜合金、黄铜、镍和/或铁(例如Fe-Ni)和/或由其构成。导线框架片段例如用于机械固定和/或电接触光学器件、例如有源或无源光学器件。为此，导线框架片段例如具有用于容纳光学器件的容纳区域和/或用于电接触光学器件的接触区域。光学器件例如可以是有源光学器件、比如芯片、例如半导体芯片和/或发射电磁辐射的器件，或者无源光学器件、例如透镜、反射镜、光圈等等。在制造壳体时，导线框架例如以模塑方法、例如注塑方法或注射成型方法被嵌入到成型材料中。成型材料可以被构造成塑料封套。由成型材料制成的形成物以及嵌入在其中的导线框架亦可称为壳体复合体。“导线框架或导线框架片段被嵌入到成型材料中”例如是指，导线框架或导线框架片段至少部分地被成型材料包围。导线框架的部分可以不含成型材料，例如:在导线框架的下侧处的用于接触壳体、尤其是壳体的导线框架片段的电接线端子、和/或在导线框架的上侧处的露出容纳区域和/或接触区域的容纳凹槽。在容纳凹槽中可以布置光学器件。另外，布置在容纳凹槽中的光学器件可以被嵌入到浇注材料中。壳体的电接触部被构造在导线框架片段的与容纳凹槽相对的侧，使得完成的壳体可以被放置到电路板上。通过壳体与电路板之间的由此产生的物体接触，于是也可以建立到导线框架片段和/或布置在其上的光学器件的电接触。在嵌入导线框架时，例如由于导线框架与相应成型模具之间的毛细效应，例如容纳区域和/或接触区域可能渗透到按规定应当保持不含成型材料的区域中。成型材料的该不期望的渗透亦称“溢流(Flash)”或“EMC溢流”(EMC = Electronic Mold Compound,电子模塑复合体)。不期望的所渗透的成型材料必须然后完全或至少部分地被除去。在已知组件的情况下，例如在两个布置在壳体中的光学器件之间留出一定距离，使得用于将光学器件与相应导线框架片段相连接的连接器在制造过程期间可以渗透到由该距离形成的自由空间中，而不发生光学器件的相互影响和/或对其定位或取向的影响。例如如果光学器件具有电子器件，则通过过剩的连接器可能产生电子器件之间的不期望的导电连接和/或短路。在焊剂作为连接器的情况下，焊剂从光学器件与导线框架片段之间的区域露出亦被已知为术语“焊剂挤出(Solder-Squeeze-Out)”。另外，在制造过程中可能发生的是，光学器件尽管首先被精确地放置到为此设置的容纳区域和相应连接器上，但是该光学器件在连接器液化时和/或在连接器硬化时在与导线框架片段平行的平面中相对于相应导线框架片段和/或相对于彼此旋转。例如，这可能在将焊膏用作连接器的情况下发生。
技术实现思路
在不同实施例中，提供了一种用于光学器件的壳体和/或一种组件，其可以简单和/或精确地制造和/或在其中可以简单和/或精确地布置一个、两个或更多个光学器件。在不同实施例中，提供了一种用于制造用于光学器件的壳体的方法和/或一种用于制造组件的方法，其可以以简单方式使得能够精确地制造该壳体或该组件和/或在该壳体中或该组件中精确地布置一个、两个或更多个光学器件。在不同实施方式中，提供了一种用于光学器件的壳体。该壳体具有导线框架片段和成型材料。导线框架片段由导电材料构成，并且具有第一侧以及背向第一侧的第二侧。在导线框架片段的第一侧处，导线框架片段具有至少一个用于容纳光学器件的第一容纳区域和/或至少一个用于接触光学器件的接触区域。在导线框架片段的第一侧上，在导线框架片段中在容纳区域旁和/或在接触区域旁构造至少一个沟槽。导线框架片段被嵌入在成型材料中，并且具有至少一个容纳凹槽。第一容纳区域和/或接触区域和沟槽布置在容纳凹槽中。接下来，沟槽亦被称为细沟槽并且也可以被构造为细沟槽。沟槽例如可以有助于在嵌入导线框架片段期间成型材料不渗透到接触区域或容纳区域中。在该上下文中，沟槽例如可以充当对抗成型材料的屏障。在沟槽中例如可能存在例如在制造过程期间流入到沟槽中的成型材料。例如，沟槽可以充当成型材料的贮存池和/或阻断棱。可以放弃接下来用于从容纳区域和/或接触区域中除去成型材料的过程。另外，沟槽可以用于在制造过程期间容纳过剩的连接器，所述连接器例如布置在电子器件与容纳区域之间以便将电子器件固定在容纳区域中，并且本文档来自技高网...
【技术保护点】
用于光学器件（14）的壳体（10），具有：－导线框架片段（12），所述导线框架片段（12）由导电材料构成，所述导线框架片段（12）具有第一侧以及背向第一侧的第二侧，并且所述导线框架片段（12）在第一侧处具有至少一个用于容纳光学器件（14）的第一容纳区域和/或至少一个用于电接触光学器件（14）的接触区域（34），－至少一个沟槽（20），所述沟槽（20）在导线框架片段（12）中在第一侧上被构造在容纳区域旁和/或接触区域（34）旁，以及－成型材料（18），导线框架片段（12）被嵌入到成型材料（18）中并且所述成型材料（18）具有至少一个容纳凹槽（18），在所述容纳凹槽（18）中布置第一容纳区域和/或接触区域（34）和沟槽（20）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：T格布尔，M克内尔，K米勒，T施瓦茨，F辛格，M齐茨尔施佩格，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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