奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司专利技术

奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司共有665项专利

  • 光电子装置
    一种光电子装置,包括光电子半导体芯片、波长转换元件和检测器组件。光电子半导体芯片被设计为发射具有第一峰值波长的光。波长转换元件被设计为将由光电子半导体芯片发射的光转换为具有第二峰值波长的光。光电子装置被设计为发射具有第一峰值波长的光和具...
  • 透镜和光电子照明设备
    本发明涉及透镜(301),其包括下述:‑ 主要部分(307),其中,‑ 主要部分具有光入射表面(309),光能够通过其照射在主要部分上,‑ 主要部分具有光出口表面(311),已经照射在主要部分上的光能够通过其离开,‑ 光出口表面包括微透...
  • 发光二极管芯片
    本发明涉及一种发光二极管芯片,带有半导体层序列,所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层,其中该发光二极管芯片在前侧上具有辐射出射面,在与所述辐射出射面相对的背侧上,所述发光二极管芯片至少局部地具有反射膜层,该反射膜层包含银,在所述...
  • 用于感测生物测定功能的传感器
    本发明涉及用于感测生物测定功能、特别是用于感测人的脉搏的传感器,包括被设计为在发射方向上发射电磁辐射的发射机,和被设计为在接收方向上接收电磁辐射的接收机,其中发射机和接收机被以如下这样的方式设计:发射机的发射方向被从接收机的接收方向倾斜...
  • 边缘发射半导体激光器及其生产方法
    边缘发射半导体激光器包括半导体结构,所述半导体结构具有层序列,所述层序列包括沿生长方向重叠的层。半导体结构在横向上由第一刻面(400)和第二刻面(500)划定。所述半导体结构具有中部区段(300)和邻近第一刻面的第一边缘区段(410)。...
  • 光电灯设备
    本发明涉及一种光电灯设备,其包括具有平坦安装面的托架,用于发射激光辐射的至少一个激光二极管,其中该激光二极管具有快轴和慢轴,其中该激光二极管布置在该安装面上,使得快轴形成为平行于安装面延伸,其中设置第一准直器和第二准直器,该第一准直器用...
  • 光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法
    一种光电子半导体本体(100)包括:带有第一导电类型的第一层(10)、第二导电类型的第二层(12)和布置在第一层(10)和第二层(12)之间的有源层(11)的半导体层序列(1),其中该有源层在按规定的运行中发射或吸收电磁辐射。在半导体本...
  • 传感器设备
    本发明涉及一种传感器设备,包括:载体和透镜装置,所述载体具有平坦的载体表面,在所述载体表面上布置多个光电检测器,每一个光电检测器具有背离载体表面的光敏传感器表面,所述透镜装置与传感器表面相对并且具有光轴,以用于将电磁辐射光学成像到传感器...
  • 光电子组件
    一种光电子组件(100)包括具有辐射发射面(210)的光电子半导体芯片(200);被设计成使从光电子半导体芯片(200)发射的电磁辐射在形成并非与辐射发射面(210)成90°的角度(520)的主要发射方向(510)上偏转的偏转元件(50...
  • 用于制造电子组件的方法
    一种用于制造电子组件的方法,包括用于以下的步骤:提供具有第一区(110)和邻近第一区的第二区(120)的表面;在表面的第一区之上布置牺牲层(200);在牺牲层和表面的第二区之上布置钝化层(300);在表面的第一区之上的钝化层中制作开口(...
  • 光电组件以及用于制造光电组件的方法
    本发明涉及一种光电组件,其具有层结构(2),层结构(2)具有用于产生电磁辐射的有源区(1),其中所述有源区被布置在第一平面中,其中将凹陷(6、25)引入到所述层结构的表面中,其中所述凹陷毗邻所述组件的端表面(13),其中所述端表面被布置...
  • 用于产生载体的方法和用于产生光电子元件的方法
    一种用于产生用于光电子元件的载体的方法包括如下步骤:用于提供具有顶侧和下侧的引线框架;用于将第一膜布置在引线框架的下侧上;用于将第二膜布置在引线框架的顶侧上;用于形成由模塑材料制成的模制主体,其中该引线框架被嵌入在该模制主体中;以及用于...
  • 具有杂散辐射的光电子元件
    本发明涉及一种用于产生光电子元件的方法、一种用于测试元件的方法以及光电子元件,其中在引导平面(19)中引导由有源区(5、6)产生的电磁辐射,其中大体上在引导平面(19)中输出电磁辐射,其中有源区(5、6)相对于引导平面(19)在侧面输出...
  • 光电元件
    本发明涉及一种光电元件,其具有用于生成电磁辐射的有源区,其中所述有源区具有至少两个量子膜(3、5),其中第一量子膜(3)被布置在第一与第二阻挡层(2、4)之间,其中第二量子膜(5)被布置在第二与最后阻挡层(4、6)之间,其中第一和第二阻...
  • 用于制造大量光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件
    说明了一种用于制造大量光电子半导体器件(1)的方法,其中所述方法包括如下步骤:a) 提供具有半导体层序列(20)的复合体(3),其中所述复合体具有大量彼此机械连接的器件区(3);b) 在所述半导体层序列上构造大量触头(4),其中在每个器...
  • 电子器件、光电子器件、器件装置和用于制造电子器件的方法
    一种用于制造电子器件的方法包括:通过光刻工艺在载体(2)的上侧形成牺牲结构(470)以及使用模制部分(481)对布置在载体(2)的上侧的牺牲结构(470)和电子半导体芯片(430)进行成形,使得所述电子半导体芯片(430)的表面(435...
  • 用于生产激光芯片的方法
    本发明涉及一种用于生产激光芯片(140)的方法,包括如下的步骤:用于提供具有顶侧(101)和底侧(102)的半导体晶片(100)的步骤,其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向(10)一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构(141...
  • 光电子部件及用于制造所述光电子部件的方法
    本发明涉及一种光电子部件(10),光电子部件(10)具有复合主体(100),复合主体(100)包括模制主体(200)和光电子半导体芯片(300),光电子半导体芯片(300)嵌入在模制主体(200)中。导电通路(400)从复合主体(100...
  • 用于产生光电子部件的方法以及光电子部件
    一种用于产生光电子部件的方法包括以下步骤:将光电子部件嵌入在模制主体中,使得光电子部件的上面至少部分暴露在模制主体的上面上;在光电子部件的顶面和模制主体的顶面之上布置牺牲层并使其图案化;在牺牲层之上布置光学材料的层并使其图案化;以及移除...
  • 用于制造光电子半导体部件的方法和光电子半导体部件
    说明一种光电子半导体部件和一种用于制造光电子半导体部件的方法,该方法包括以下步骤:A)将至少一个半导体芯片(2)布置在载体(1)上,B)将电绝缘的光刻胶(3)施加到载体(1)的上侧(1a)和半导体芯片(2)上,C)利用加热步骤硬化光刻胶...