半导体器件的生产制造技术

技术编号:24335144 阅读:114 留言:0更新日期:2020-05-29 21:58
本发明专利技术涉及一种用于生产半导体器件的方法。方法包括如下步骤:提供载体,载体具有布置在载体上的半导体部件;以及在载体上提供层布置,层布置邻接半导体部件,具有第一可流动层和第二可流动层。第一层被形成在载体上。然后在第一层上形成第二层。第一层具有颗粒。第一层的密度大于第二层的密度。连同第一层一起发生半导体部件的横向浸润,使得第一层具有第一实施例,第一实施例具有对于半导体部件的侧部弯曲的层表面。方法更进一步地包括对被提供有半导体部件和层布置的载体进行离心,使得至少减小第一层的层表面对于半导体部件的侧部的弯曲并且作为结果第一层具有第二实施例。借助于布置在第一层上的第二层,防止第一层返回到第一实施例。本发明专利技术更进一步地涉及半导体器件。

Production of semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的生产本专利技术涉及用于生产半导体器件的方法。本专利技术更进一步地涉及半导体器件。本专利申请要求德国专利申请102017118915.7的优先权,其公开内容被通过引用合并于此。半导体器件的生产可以包括提供载体以及在载体上布置半导体部件。半导体部件可以是被配置用于经由前侧以及经由横向侧壁发射辐射的辐射发射半导体部件。在该上下文中,可以对于相对于半导体部件横向地形成薄的白色反射性层给出更进一步的考虑。为此目的,可以横向地相对于载体上的半导体部件施加包括处于可流动状态的嵌入反射性颗粒的塑料层,该塑料层可以随后固化。具有包括颗粒的塑料层的半导体部件的横向浸润可能在施加期间发生。以此方式,塑料层可能构成不期望的屏障,其防止辐射经由半导体部件的侧壁被横向地耦合出。本专利技术的目的是要指定用于生产半导体器件的改进的方法和改进的半导体器件。该目的是借助于独立专利权利要求的特征来实现的。在从属权利要求中指定了本专利技术的进一步的有利的实施例。根据本专利技术的一个方面,提出了一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括提供载体,载体具有布置在该载体上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生产半导体器件(100)的方法,包括:/n提供载体(110),载体(110)具有布置在载体(110)上的半导体部件(140);/n在载体(110)上提供层布置,所述层布置邻接半导体部件(140)并且包括第一可流动层和第二可流动层,其中第一层(161)形成在载体(110)上,并且然后在第一层(161)上形成第二层(162、262),其中第一层(161)包括颗粒(166),其中第一层(161)的密度大于第二层(162、262)的密度,并且其中发生利用第一层(161)的对半导体部件(140)的横向浸润,使得第一层(161)包括第一配置,该第一配置包括相对于半导体部件(140)在横向上弯曲...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170818 DE 102017118915.71.一种用于生产半导体器件(100)的方法,包括:
提供载体(110),载体(110)具有布置在载体(110)上的半导体部件(140);
在载体(110)上提供层布置,所述层布置邻接半导体部件(140)并且包括第一可流动层和第二可流动层,其中第一层(161)形成在载体(110)上,并且然后在第一层(161)上形成第二层(162、262),其中第一层(161)包括颗粒(166),其中第一层(161)的密度大于第二层(162、262)的密度,并且其中发生利用第一层(161)的对半导体部件(140)的横向浸润,使得第一层(161)包括第一配置,该第一配置包括相对于半导体部件(140)在横向上弯曲的层表面;以及
对被提供有半导体部件(140)和所述层布置的载体(110)进行离心,使得至少减小第一层(161)的相对于半导体部件(140)在横向上的层表面的弯曲,并且作为结果第一层(161)包括第二配置,其中,借助于布置在第一层(161)上的第二层(162、262),抑制第一层(161)再次返回到第一配置。


2.根据权利要求1所述的方法,
其中半导体部件(140)是以下之一:
辐射发射半导体部件;
辐射发射半导体芯片;或者
辐射发射CSP半导体部件。


3.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)和/或第二层(162、262)是塑料层。


4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中第二层(162)是辐射透射性塑料层。


5.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)包括至少以下颗粒:
反射性颗粒;
吸收剂颗粒;和/或
磷光体颗粒。


6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)包括具有在30%至50%的范围内的按重量计的比例的颗粒。


7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法,
其中,在离心之后,执行固化第一层(161)以及然后移除第二层(262)。


8.根据权利要求7所述的方法,
其中第二层(262)包括以下中的至少一个:
硅树脂油;
甘油;和/或
水。


9.根据权利要求1至6中的任何一项所述的方法,
其中第一层(161)和第二层(162)...

【专利技术属性】
技术研发人员:I坦格林G贝林克
申请(专利权)人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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