制造电子器件的方法及电子器件技术

说明了一种用于制造电子器件的方法，具有以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造电子器件的方法及电子器件


[0001]说明了一种用于制造电子器件的方法和一种电子器件。

技术实现思路

[0002]应当提供一种电子器件的简化制造方法。此外，应当提供一种特别容易制造的电子器件。最后，所述电子器件应当具有特别小的尺寸和/或被构造为至少部分柔性的。
[0003]这些任务通过具有权利要求1的步骤的方法和具有权利要求13的特征的电子器件来解决。
[0004]在各个从属权利要求中说明了用于制造电子器件的方法和电子器件的有利实施方式和扩展。
[0005]根据用于制造电子器件的方法的一种实施方式，提供可造型衬底。所述可造型衬底优选被设计为薄的可造型层或薄的可造型膜。所述可造型衬底特别优选地具有主延伸平面。所述可造型衬底的第一主面布置为与所述衬底的主延伸平面平行。所述衬底的第一主面优选地与第二主面相对。
[0006]根据所述方法的另一实施方式，将至少一个半导体芯片施加到所述可造型衬底的第一主面上。特别优选地，将大量半导体芯片有间距地并排施加到所述可造型衬底的第一主面上。
[0007]根据所述方法的另一实施方式，通过使所述可造型衬底变形将所述半导体芯片引入所述可造型衬底中，使得从所述第一主面开始将所述半导体芯片嵌入所述可造型衬底中。在此，所述半导体芯片的至少一个电接触部可以从外部自由接近。
[0008]特别优选地，除了其上布置有至少一个电接触部的主面之外，所述半导体芯片的外表面被所述可造型衬底的材料以形状配合的方式包围。所述半导体芯片的其上布置有所述半导体芯片的至少一个电接触部的主面优选地在所述可造型衬底的第一主面处暴露。
[0009]根据所述方法的特别优选的实施方式，所述可造型衬底是未交联或部分交联的聚合物膜。特别优选地，所述可造型衬底是未交联或部分交联的硅树脂膜。
[0010]未交联或部分交联的聚合物膜包括大量单体。在聚合物膜的未交联状态下，这些单体不会通过化学键而相互连接。当这些单体聚合时，所述聚合例如由紫外光或热引发，这些单体彼此发生化学反应并相互形成化学键。在当前情况下，术语“部分交联”是指聚合物膜的单体未完全彼此聚合。聚合物膜的单体聚合导致聚合物膜的机械稳定性。通常，聚合物膜的机械稳定性随着彼此交联的单体的比例增加而增加。换言之，彼此交联的单体越少，聚合物膜就越容易造型。
[0011]随着聚合物膜的单体聚合进一步进行，大部分单体通过化学键彼此连接。聚合物膜的这种状态在下文中称为“完全交联”。
[0012]根据所述方法的优选实施方式，所述半导体芯片是光电子半导体芯片，优选地是发射辐射的半导体芯片，特别优选地具有倒装芯片设计。特别优选地，发射辐射的半导体芯片是发光二极管芯片。具有倒装芯片设计的发射辐射的半导体芯片在此和下文中也称为
“
倒装芯片”。
[0013]发射辐射的半导体芯片特别优选地包括具有活性区域的外延半导体层序列，所述活性区域适用于在运行期间产生电磁辐射。例如，发射辐射的半导体芯片的外延半导体层序列基于氮化物半导体材料。氮化物半导体材料是含氮的化合物半导体材料，例如来自In
x
Al
y
Ga1‑
x
‑
y
N系的材料，其中0≤x≤1、0≤y≤1和x+y≤1。这样的外延半导体层序列通常具有产生从紫外到蓝色光谱范围内的电磁辐射的活性区域。
[0014]此外也可能的是，发射辐射的半导体芯片的外延半导体层序列基于磷化物半导体材料。磷化物半导体材料是含磷的化合物半导体材料，例如来自In
x
Al
y
Ga1‑
x
‑
y
P系的材料，其中0≤x≤1、0≤y≤1和x+y≤1。这样的外延半导体层序列通常具有产生从绿色到红色光谱范围内的电磁辐射的活性区域。
[0015]通常，外延半导体层序列在生长衬底上外延生长。外延半导体层序列通常布置在用于机械稳定的载体元件上。例如，生长衬底用作载体元件。此外，也可以将外延半导体层序列从生长衬底转移到载体元件上。
[0016]优选地，载体元件至少对于在外延半导体层序列的活性区域中产生的电磁辐射是可透过的。具有倒装芯片设计的发射辐射的半导体芯片发射在活性区域中产生的电磁辐射，优选地经由载体元件的主面和载体元件的侧面发射。换言之，载体元件的主面和载体元件的侧面形成倒装芯片的辐射出射面。
[0017]倒装芯片的辐射出射面特别优选地没有电接触部。具有倒装芯片设计的发射辐射的半导体芯片的电接触部优选布置在外延半导体层序列的背离载体元件的主面上。
[0018]例如，具有倒装芯片设计的发射辐射的半导体芯片的外延半导体层序列基于氮化物半导体材料。在这种情况下，载体元件优选地是外延半导体层序列的生长衬底。生长衬底特别优选地具有蓝宝石或碳化物或由这两种材料中的一种组成。这两种材料有利地通常对蓝光是可透过的，蓝光通常在基于氮化物半导体材料的外延半导体层序列的活性区域中产生。
[0019]例如，具有倒装芯片设计的发射辐射的半导体芯片的外延半导体层序列基于磷化物半导体材料。在这种情况下载体元件优选不同于外延半导体层序列的生长衬底。所述生长衬底特别优选地具有GaAs或由该材料组成，而倒装芯片的载体元件优选具有蓝宝石或碳化物或由蓝宝石或碳化物形成。这两种材料有利地通常对绿光到红光是可透过的，绿光到蓝光通常在基于磷化物半导体材料的外延半导体层序列的活性区域中产生。
[0020]根据所述方法的另一实施方式，所述半导体芯片是具有倒装芯片设计的发射辐射的半导体芯片。在该实施方式中，在将半导体芯片引入可造型衬底之前，将半导体芯片以载体元件的第一主面施加到可造型衬底的第一主面上。特别优选地，在引入可造型衬底之后，半导体芯片的电接触部与可造型衬底的第一主面齐平。在该实施方式中，可造型衬底特别优选地被构造为至少对于活性区域的电磁辐射是可透过的。例如，可造型衬底透射活性区域的电磁辐射的90％、优选95％。
[0021]根据另一实施方式，通过用板或辊按压将所述半导体芯片引入所述可造型衬底中。为此，首先将半导体芯片施加到可造型衬底的第一主面上。特别优选地，将多个半导体芯片有间距地并排施加到可造型衬底的第一主面上。在使用诸如金属板的板的情况下，该板沿着第一主面布置在半导体芯片上面，并以尽可能均匀的压力按压在半导体芯片上，从
而将半导体芯片压入可造型衬底中。特别优选地，可以借助于所述板将所述半导体芯片尽可能均匀且同时地引入到可造型衬底中。
[0022]在使用辊的情况下，该辊以尽可能均匀的压力滚压在半导体芯片上面，从而将半导体芯片压入可造型衬底中。该辊通常也可以尽可能均匀地将半导体芯片引入可造型衬底中。
[0023]根据所述方法的另一实施方式，所述辊和/或所述板具有结构化部。通过结构化部可以有利地补偿高度差异。
[0024]根据所述方法的另一实施方式，提供在第一主面上具有至少一个电连接点的载体。在将半导体芯片引入可造型衬底后，将所述载体施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造电子器件的方法，具有以下步骤：
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提供可造型衬底（1），
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将至少一个半导体芯片（3）施加到所述可造型衬底（1）的第一主面（2）上，
‑
通过使所述可造型衬底（1）变形将所述半导体芯片（3）引入所述可造型衬底（1）中，使得所述半导体芯片（3）从所述第一主面（2）开始嵌入所述可造型衬底（1）中，其中所述半导体芯片（3）的至少一个电接触部（7）能够从外部自由接近，其中所述半导体芯片是发射辐射的倒装芯片，并且所述倒装芯片（3）的辐射出射面（20）没有电接触部。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述可造型衬底（1）是未交联或部分交联的聚合物膜。3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中
‑
在将所述半导体芯片（3）引入所述可造型衬底（1）之前，将所述半导体芯片（3）以第一主面（9）施加到所述可造型衬底（1）的第一主面（2）上，以及
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所述半导体芯片（3）的电接触部（7）在所述半导体芯片引入所述可造型衬底（1）之后与所述可造型衬底（1）的第一主面（2）齐平。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中通过用板（8）或辊按压而将所述半导体芯片（3）引入所述可造型衬底（1）中。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中
‑
提供在第一主面（11）上具有至少一个电连接点（12）的载体（10），以及
‑
在将所述半导体芯片（3）引入所述可造型衬底（1）之后，将所述载体（10）施加到所述可造型衬底（1）的第一主面（2）上，使得所述半导体芯片（3）的至少一个电接触部（7）与所述电连接点（12）电接触。6.根据权利要求5所述的方法，其中
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所述载体（10）是引线框架（19）或印刷电路板，其包括所述至少一个电连接点（12），以及
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将所述载体（10）压入所述可造型衬底（1）中。7.根据权利要求5至6中任一项所述的方法，其中
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所述可造型衬底（1）是未交联或部分交联的聚合物膜，以及
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所述载体（10）和所述可造型...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：