【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过使用由火焰打孔方法制成的孔隙掩模来制造电子 电路元件、制造那些掩模的方法、以及如此制成的孔隙掩模。
技术介绍
电子电路包括电子电路元件诸如电阻器、电容器、感应器、二极 管、晶体管、以及其它有源和无源元件的组合,这些元件通过导电连 接联系在一起。薄膜集成电路包括若干层诸如金属层、介质层、以及 典型地由半导体材料诸如硅形成的活性层。典型地,薄膜电路元件和 薄膜集成电路通过如下方式产生沉积各种材料层,然后使用加成或 减成法中的光刻法来图案化这些层,所述加成或减成法可包括化学蚀 刻步骤以限定各种电路元件。另外,孔隙掩模已用来沉积成图案层, 而无需使用蚀刻步骤或任何光刻法。美国专利No. 6,821,348 B2公开了涉及孔隙掩模和相关系统的某 些方法和装置,因而以引用的方式并入本文。美国专利申请公布No. 2004/0070100 Al禾P 2005/0073070 Al公开了涉及薄膜的火焰打孔的某些方法和装置,因而以引用的方式并 入本文。美国专利申请序列号11/179,418公开了涉及巻状物品孔隙掩模 和相关的滚筒式或连续运动系统的某些方法和装置,因而以引用的方 式并入本文。
技术实现思路
简而言之,本专利技术提供一种孔隙掩模,包括细长的柔性薄膜幅 材;以及至少一个在薄膜中形成的沉积掩模图案,其中沉积掩模图案 限定贯穿薄膜延伸的沉积孔隙,所述孔隙限定一个或多个电子电路元 件的至少一部分,并且其中沉积孔隙由边缘界定,所述边缘为掩模的 一部分,其具有大于掩模的平均厚度的厚度。孔隙掩模可包括多个独 立的沉积掩模图案,所述图案可基本上相同或不同。该薄膜幅 ...
【技术保护点】
一种孔隙掩模,包括: 细长的柔性薄膜幅材;以及 至少一个在所述薄膜中形成的沉积掩模图案, 其中所述沉积掩模图案限定贯穿薄膜延伸的沉积孔隙,所述孔隙限定一个或多个电子电路元件的至少一部分,并且 其中沉积孔隙由边缘界定,所述边缘为所述掩模的一部分,所述边缘具有大于所述掩模的平均厚度的厚度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-12-22 11/315,1111.一种孔隙掩模,包括细长的柔性薄膜幅材;以及至少一个在所述薄膜中形成的沉积掩模图案,其中所述沉积掩模图案限定贯穿薄膜延伸的沉积孔隙,所述孔隙限定一个或多个电子电路元件的至少一部分,并且其中沉积孔隙由边缘界定,所述边缘为所述掩模的一部分,所述边缘具有大于所述掩模的平均厚度的厚度。2. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中所述孔隙掩模包括多 个独立的沉积掩模图案。3. 根据权利要求2所述的孔隙掩模,其中每个沉积掩模图案基 本上相同。4. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中所述薄膜幅材为足够 柔性的,使其可被巻绕以形成巻材。5. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中所述薄膜幅材为可拉 伸的,使其可在至少幅材纵向方向上被拉伸。6. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中所述薄膜幅材在至少幅材横向方向上为可拉伸的。7. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中所述薄膜幅材包含聚合物薄膜。8. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中所述薄膜幅材包含聚 酰亚胺薄膜。9. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中所述薄膜幅材包含聚 酯薄膜。10. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中至少一个沉积孔隙具 有小于约1000微米的最小直径。11. 根据权利要求1所述的孔隙掩模,其中至少一个沉积孔隙具有小于约250微米的最小直径。12. —种制造孔隙掩模的方法,包括 细长的柔性薄膜幅材;以及 在所述薄膜中形成的沉积掩模图案,其中所述沉积掩模图案限定贯穿所述薄膜延伸的沉积孔隙,所述 孔隙限定一个或多个电子电路元件的至少一部分; 所述方法包括以下步骤提供支承表面,其中所述支承表面包括多个降低部分; 提供喷焰器,其中所述喷焰器支承火焰,并且其中所述火焰包括与所述喷焰器相对的焰舌;使细长的柔性薄膜幅材的至少一部分顶靠接触所述支承表面;以及用源自喷焰器的火焰加热所述薄膜,以在所述薄膜的覆盖所述多 个降低部分的区域中产生孔隙。13. 根据权利要求12所述的方法,其中所述支承表面被冷却至 低于120下(29°(3)的温度;并且所述方法另外包括以下步骤使所述薄膜的所述第一侧面接触受热表面,其中所述受热表面的 温度大于165。F(74。C);并且随后在用源自喷焰器的火焰加热所述薄膜以在所述薄膜的覆盖所述 多个降低部分的区域中产生孔隙之前,将所述受热表面从所述薄膜的所述第一侧面移除。14. 根据权利要求12所述的方法,另外包括以下步骤 将所述喷焰器定位成使得所述火焰的未侵入焰舌和所述喷焰器之间的所述距离比所述薄膜和所述喷焰器之间的所述距离大至少三分 之一。15. 根据权利要求14所述的方法,其中所述定位步骤包括将所述喷焰器定位成使得所述火焰的所述未侵入焰舌和所述喷焰器之间的所述距离比所述薄膜和所述喷焰器之间的所述距离大至少2毫米。16. 根据权利要求12所述的方法,另外包括以下步骤将所述喷焰器定位成使得在所述喷焰器和所述轧辊之间测得的所述角度小于45° ,其中所述角度的顶点定位在所述背衬辊的轴线 处。17. 根据权利要求12所述的方法,其中所述孔隙掩模包括多个 独立的沉积掩模图案。18. 根据权利要求12所述的方法,其中所述薄膜幅材为足够柔 性的,使得其可被巻绕以形成巻材。19. 根据权利要求12所述的方法,其中所述薄膜幅材包含聚合 物薄膜。20. 根据权利要求12所述的方法,其中所述薄膜幅材包含聚酰 亚胺薄膜。21. 根据权利要求12所述的方法,其中所述薄膜幅材包含聚酯 薄膜。22. —种制造电子电路元件的方法,包括以下步骤 提供支承表面,其中所述支承表面包括多个降低部分; 提供喷焰器,其中所述喷焰器支承火焰,并且其中所述火焰包括与所述喷焰器相对的焰舌;使细长的柔性薄膜幅材的至少一部分顶靠接触所述支承表面; 用源自喷焰器的火焰加热所述薄膜以在所述薄膜的覆盖所述多个降低部分的区域中产生孔隙,从而制成孔隙掩模; 提供第一薄膜幅材;将所述孔隙掩模和第一薄膜幅材定位成彼此邻近;以及 将沉积材料通过所述孔隙掩模中的所述孔隙沉积在所述第一薄 膜幅材上,以产生一个或多个电子电路元件的至少一部分。23. 根据权利要求22所述的方法,另外包括通过排除所述孔隙 掩模的再使用的方法来回收累积在所述孔隙掩模上的沉积材料的步 骤。24. 根据权利要求22所述的方法,另外包括回收累积在所述孔 隙掩模上的沉积材料的步骤,其中回收所述沉积材料的方法包括选自 由下列组成的组的步骤局部或完全地燃烧所述孔隙掩模、局部或完 全地熔融所述孔隙掩模、局部或完全地将所述孔隙掩模分割成片件、 以及局部或完全地溶解所述孔隙掩模。25. 根据权利要求22所述的方法,其中所述支承表面被冷却至 低于120下(29。C)的温度;并且另外包括以下步骤使所述薄膜的所述第一侧面接触受热表面,其中所述受热表面的 温度大于165。F(74。C);并且随后在用源自喷焰器的火焰加热所述薄膜以在所述薄膜的覆盖所述 多个降低部分的区域中产生孔隙之前,将所述受热表面从所述薄膜的 所述第一侧面移除。26. 根据权利要求22所述的方法,另外包括以下步骤 将所述喷焰器定位成使得所述火焰的未侵入焰舌和所述喷焰器之间的距离比所述薄膜和所述喷焰器之间的距离大至少三分之一。27. 根据权利要求26所述的方法,其中所述定位步骤包括定位喷焰器使得所述火焰的所述未侵入焰舌和所述喷焰器之间的距离比所 述薄膜和所述喷焰器之间的距离大至少2毫米。28. 根据权利要求22所述的方法,另外包括以下步骤 将所述喷焰器定位成使得在所述喷焰器和所述轧辊之间测得的角度小于45° ,其中所述角度的顶点定位在所述背衬辊的轴线处。29. 根据权利要求22所述的方法,其中所述孔隙掩模包括多个 独...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔纳森A尼科尔斯,杰弗里H托奇,迈克尔W本奇,马克A斯特罗贝尔,乔尔A热舍尔,唐纳德J穆克卢尔,
申请(专利权)人:三M创新有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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