【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高性能电子电路，更特别地，涉及具有高k栅极电介质和金属栅极的结构，其中对于NFET和PFET器件而言栅极金属是相同的。本发 明还涉及提高这样的电路的密度。
技术介绍
当今的集成电路包括大量器件。更小的器件和缩减的基准(ground rule) 是增强性能和减少成本的关键。随着场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)器件的尺寸减小，技术变地更加复杂，需要器件结构上的变化和新的 制造方法来维持从一代器件至下一代所期望的性能增强。微电子的重要材料 是硅(Si),或者更广地，是硅基材料。 一种对微电子重要的硅基材料是硅 锗(SiGe)合金。本公开的实施例中的器件一般是单晶硅基材料器件技术领 域的一部分。保持深亚微米代器件的性能改善有很大的困难。所以，提高性能而不缩 减尺寸的方法受到关注。有一种有潜力的方法可实现更高的栅极电介质电容 (gate dielectric capacitance )而不必使栅极电介质实际上更薄。该方法涉及 使用所谓的高k材料。这样的材料的介电常数显著高于Si02, Si02约是3.9。 高k材料可物...
【技术保护点】
一种电路结构，包括：至少一个ＮＦＥＴ和至少一个ＰＦＥＴ；其中所述ＮＦＥＴ包括：位于单晶硅基材料中的ｎ沟道；包括栅极金属的第一层和帽层的第一栅堆叠；包括第一高ｋ电介质的第一栅极绝缘体，其中所述第一高ｋ电介质直接接触所述帽层；ＮＦＥＴ电极，包括第一电极，其邻接所述ｎ沟道，且能与所述ｎ沟道电连续；其中所述ＰＦＥＴ包括：位于所述单晶硅基材料中的ｐ沟道；包括所述栅极金属的第二层的第二栅堆叠；包括第二高ｋ电介质的第二栅极绝缘体，其中所述第二高ｋ电介质与所述栅极金属的所述第二层直接接触；ＰＦＥＴ电极，包括第二电极，其邻接所述ｐ沟道，且能与所述ｐ沟道电连续，且其中所述第一电极和所述第二电极...
【技术特征摘要】
US 2007-5-8 11/745,9941.一种电路结构，包括至少一个NFET和至少一个PFET；其中所述NFET包括位于单晶硅基材料中的n沟道；包括栅极金属的第一层和帽层的第一栅堆叠；包括第一高k电介质的第一栅极绝缘体，其中所述第一高k电介质直接接触所述帽层；NFET电极，包括第一电极，其邻接所述n沟道，且能与所述n沟道电连续；其中所述PFET包括位于所述单晶硅基材料中的p沟道；包括所述栅极金属的第二层的第二栅堆叠；包括第二高k电介质的第二栅极绝缘体，其中所述第二高k电介质与所述栅极金属的所述第二层直接接触；PFET电极，包括第二电极，其邻接所述p沟道，且能与所述p沟道电连续，且其中所述第一电极和所述第二电极直接物理接触地彼此对接。2. 如权利要求1所述的电路结构，还包括第一电介质层，覆于所述第一栅堆叠和至少部分所述NFET电极上，其 中所述第一电介质层和所述n沟道处于张应力下，其中所述张应力由所述第 一电介质层施加到所述n沟道上；以及第二电介质层，覆于所述第二栅堆叠和至少部分所述PFET电极上，其 中所述第二电介质层和所述p沟道处于压应力下，其中所述压应力由所述第 二电介质层施加到所述p沟道上。3. 如权利要求2所述的电路结构，其中所述第一电介质层和所述第二 电介质层实质上由SiN构成。4. 如权利要求1所述的电路结构，其中所述栅极金属是TiN。5. 如权利要求1所述的电路结构，其中所述第一高k电介质和所述第 二高k电介质是相同材料。6. 如权利要求5所述的电路结构，其中所述相同材料实质上是Hf02。7. 如权利要求1所述的电路结构，其中所述第一高k电介质和所述第 二高k电介质中的至少一种实质上由Hf02构成。8. 如权利要求1所述的电路结构，其中所述单晶硅基材料实质上是纯硅。9. 如权利要求1所述的电路结构，其中所述第一电极是漏极电极。10. 如权利要求1所述的电路结构，其中所述第二电极是源极电极。11. 如权利要求1所述的电路结构，其中所述电路结构是CMOS结构。12. —种制造电路结构的方法，包括在NFET中，'形成包括第一高k电介质的第一栅极绝缘体，其中n沟道 位于所述第一栅极绝缘体下面，其中所述n沟道位于单晶硅基材料中，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃杜亚德A卡蒂埃，瓦姆西帕鲁查里，维杰伊纳拉亚南，巴里P林德，张郢，马克T罗布森，米歇尔L斯蒂恩，布鲁斯B多丽丝，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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