磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置。所述磁阻元件包括：从包含锰的层形成的反铁磁性层；包含位于反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形成的第一磁化固定层、从包含铁磁性材料的层形成的第二磁化固定层、以及位于第一磁化固定层和第二磁化固定层之间的第一非磁性中间层的分层的磁化固定层；从包含铁磁性材料的层形成的磁性自由层；以及位于分层的磁化固定层和磁性自由层之间的第二非磁性中间层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及诸如隧道磁阻元件或巨磁阻元件的磁阻元件、其制造 方法和磁性多层膜制造装置，更特别地，涉及可用于磁盘驱动器或磁 随机存取存储器的磁头的诸如隧道磁阻元件或巨磁阻元件的磁阻元 件、其制造方法和磁性多层膜制造装置。
技术介绍
常规的磁盘驱动器的磁头使用巨磁阻元件或隧道磁阻元件。 巨磁阻元件具有反铁磁性层、铁磁性固定层、非磁性导电层和铁磁性自由层。隧道磁阻元件具有反铁磁性层、铁磁性固定层、隧道势垒层和铁磁性自由层。巨磁阻元件或隧道磁阻元件的铁磁性固定层可使用Fe、 Co和M 中的至少一种作为铁磁性材料。反铁磁性层可使用诸如通过向Mn中 添加贵金属元素获得的PtMn或IrMn的反铁磁性材料。但是，常规的磁阻元件具有较差的热稳定性。当磁阻元件被加热 到例如300。C或更高时，MR比显著降低。在日本专利公开No. 2000-67418 (美国专利No. 6052263) 、 No. 2003-258335、 No. 2003-304012和No. 2005-203790中说明的磁阻元件 在一定程度上改善了热稳定性，但还没有实现用于实用的足够的MR 比。本专利技术的专利技术人通过研究和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻元件，包括：从包含锰的层形成的反铁磁性层；分层的磁化固定层，其包含位于所述反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形成的第一磁化固定层、从包含铁磁性材料的层形成的第二磁化固定层、以及位于所述第一磁化固定层和所述第二磁化固定层之间的第一非磁性中间层；从包含铁磁性材料的层形成的磁性自由层；和位于所述分层的磁化固定层和所述磁性自由层之间的第二非磁性中间层。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-7 2007-122367;JP 2008-4-21 2008-1104341. 一种磁阻元件，包括从包含锰的层形成的反铁磁性层；分层的磁化固定层，其包含位于所述反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形成的第一磁化固定层、从包含铁磁性材料的层形成的第二磁化固定层、以及位于所述第一磁化固定层和所述第二磁化固定层之间的第一非磁性中间层；从包含铁磁性材料的层形成的磁性自由层；和位于所述分层的磁化固定层和所述磁性自由层之间的第二非磁性中间层。2. 根据权利要求l的元件，其中，铂族金属为选自由铂(Pt)、 铱(Ir)、锇(Os)、把(Pd)、铑(Rh)和钌(Ru)构成的组的 至少一种金属。3. 根据权利要求l的元件，其中，铂族金属为铂(Pt)。4. 根据权利要求l的元件，其中，所述第一磁化固定层和所述第 二磁化固定层包含具有晶体结构的铁磁性材料。5. 根据权利要求4的元件，其中，晶体结构是微晶结构、多晶结 构和单晶结构中的一种。6. 根据权利要求l的元件，其中，所述第二非磁性中间层包含具 有晶体结构的氧化镁。7. 根据权利要求6的元件，其中，晶体结构是微晶结构、多晶结 构和单晶结构中的一种。8. 根据权利要求6的元件，其中，所述第二磁化固定层包含铂族 金属。9. 根据权利要求1的元件，其中，所述磁性自由层包含铂族金属。10. 根据权利要求l的元件，其中，所述第二非磁性中间层包含 氧化铝。11. 根据权利要求1的元件，其中，所述第一磁化固定层包含0.5at。/。 50at。/。的范围内的铂族金属。12. 根据权利要求1的元件，其中，所述第一磁化固定层包含 10at。/。 40at。/o的范围内的锅族金属。13. —种磁阻元件的制造方法，该磁阻元件包括 反铁磁性层；分层的磁化固定层，具有包含第一磁化固定层、第一非磁性中间 层和第二磁化固定层的分层结构； 第二非磁性中间层；和 磁性自由层， 该方法包括通过用包含锰(Mn )的靶进行溅射来形成反铁磁性层的第一步骤；在第一步骤之后通过用包含铂族金属的靶和包含铁磁性材料的靶 进行溅射来形成第 一磁化固定层的第二步骤；在笫二步骤之后通过用包含非磁性材料的靶进行溅射来形成第一 非磁性中间层的第三步骤；在第三步骤之后通过用包含铁磁性材料的靶进行溅射来形成第二磁化固定层的第四步骤；在第四步骤之后通过用包含非磁性材料的靶进行溅射来形成笫二非磁性中间层的第五步骤；在笫五步骤之后通过用包含铁磁性材料的靶进行溅射来形成磁性 自由层的第六步骤；和在第六步骤之后在退火炉中对反铁磁性层，具有包含第一磁化固 定层、笫一非磁性中间层和笫二磁化固定层的分层结构的分层的磁化 固定层，第二非磁性中间层，以及磁性自由层进行退火的第七步骤。14. 一种磁阻元件的制造方法，该磁阻元件包括 反铁磁性层；分层的磁化固定层，具有包含第一磁化固定层、第一非磁性中间 层和笫二磁化固定层的分层结构；第二非磁性中间层；和磁性自由层，该方法包括通过用包含锰(Mn )的靶进行溅射来形成反铁磁性层的第 一步骤； 在第一步骤之后通过用包含铂族金属和铁磁性材料的靶进行溅射 来形成第一磁化固定层的第二步骤；在第二步骤之后通过用包含非磁性材料的靶进行溅射来形成第一非磁性中间层的第三步骤；在第三步骤之后通过用包含铁磁性材料的靶进行溅射来形成第二磁化固定层的笫四步骤；在笫四步骤之后通过用包含非磁性材料的靶进行溅射来形成第二非磁性中间层的笫五步骤；在第五步骤之后通过用包含铁磁性材料的靶进行溅射来形成磁性 自由层的第六步骤；和在第六步骤之后在退火炉中对反铁磁性层，具有包含笫一磁化固 定层、第一非磁性中间层和笫二磁化固定层的分层结构的分层的磁化 固...

【专利技术属性】
技术研发人员：恒川孝二，DD贾雅帕瓦拉，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]