发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件，其在抑制放射角产生的发光强度和波长的分散同时，可提高光取出效率。在基板（１）上具有含有发光层（４）的化合物半导体层的发光元件（１０），该发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部分上具备介电率变化结构（１１），该介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内（６ａ）的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及含有化合物半导体的发光层的发光元件，更详细地，涉及在抑 制由放射角产生的发光强度和波长的分散的同时，还可提高光取出效率的发光 元件。本专利技术的发光元件可以用于例如，照明机器、液晶用背光模块、各种指 示器、显示面板等装置。
技术介绍
近年，伴随着发光二极管(Light Emitting Diode, LED)的应用领域的扩 大，对光输出增大的要求也越来越高。对于这样的要求，公开的方法是在发光二极管的主表面上形成二维周期结 构的凹凸，利用其衍射效果来提高凹凸形成面的光取出效率(参照专利文献 1)。用该方法，在主表面上形成二维周期结构，即光子晶体。已知光子晶体具 有很大程度上依赖于光的入射波长、方向、偏光的透过率(例如，参照非专利 文献l)。作为利用这种光子晶体性质的例子，已知有通过让光子晶体具有非对称 性，来控制偏光方向的二维光子晶体面发光激光(参照专利文献2)。 专利文献l:日本特开2006-49855号公报 专利文献2:日本专利3561244号公报非专利文献l:井上久远，由光子晶体产生的光场的控制，表面科学， 2001,第22巻，第11号 专利
技术实现思路
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【技术保护点】
一种发光元件，其为在基板上具有含有发光层的化合物半导体层的发光元件，其特征在于，所述发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部份上具备介电率变化结构，所述介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-11 2007-1266761. 一种发光元件，其为在基板上具有含有发光层的化合物半导体层的发光元件，其特征在于，所述发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部份上具备介电率变化结构，所述介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。2. 根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述介电率变化结构 具有才艮据所述非旋转对称...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元克弥，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]