氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法技术

本发明专利技术涉及一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，即使是电极相对设置、并且通过蚀刻形成有芯片分离用或激光剥离用的分离槽的氮化物半导体发光元件，也不会对发光区域造成损伤，也不会劣化。在ｎ型氮化物半导体层（２）上，从ｐ侧看在越过活性层（３）的区域形成有台阶（Ａ）。通过保护绝缘膜（６），ｎ型氮化物半导体层（２）的局部、活性层（３）、ｐ型氮化物半导体层（４）、ｐ电极（５）的侧面和ｐ电极（５）的上侧局部被覆盖到该台阶（Ａ）的部分。通过用保护绝缘膜（６）覆盖芯片侧面的结构，在通过蚀刻形成芯片分离用或激光剥离用分离槽的情况下，活性层（３）等不会长时间曝露于蚀刻气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方 法，氮化物半导体发光元件的电极相对设置。
技术介绍
氮化物半导体被用于作为照明、背光灯等用的光源使用的蓝色LED、以 及多色化使用的LED、 LD等。氮化物半导体中，由于大块单晶的制造困难， 因此，在蓝宝石、'SiC等异种基板上，利用MOCVD (有才几金属气相生长法)， 使GaN进行生长。由于蓝宝石基板在外延生长工序的高温氨气氛中的稳定性 优良，因此，作为生长用基板而被特别使用。但是，蓝宝石基板为绝缘性基 板，不能导通，从而不能夹着蓝宝石基板来设置电极。因此，蓝宝石基板上的氮化物半导体通常为如卞结构在外延生长后， 进行蚀刻直到露出n型氮化镓层，在被蚀刻的面形成n型接点，在同一面侧 设置p型和n型的两个电极。但是，如上所述，若为在同一面侧设置p型和n型两个电极的构成，则 由于在接近n电极的台面部分电流易集中，因此，不能提升ESD (静电破坏) 电压。另外，在活性层难以注入均匀的电流，从而很难使活性层均匀地发光。 进而，由于在同一面侧p电极和n电极这两者需要引线结合用电极，因此， 与只要设置任一方的引线结合用电极就可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光元件，至少依次具备：ｎ侧电极、ｎ型氮化物半导体层、发光区域、ｐ型氮化物半导体层、ｐ侧电极，其特征在于，在所述发光区域的ｎ侧电极侧具有台阶，从所述ｐ侧电极到台阶位置，沿层叠方向形成有第一保护绝缘膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-11-8 324000/20051. 一种氮化物半导体发光元件，至少依次具备n侧电极、n型氮化物半导体层、发光区域、p型氮化物半导体层、p侧电极，其特征在于，在所述发光区域的n侧电极侧具有台阶，从所述p侧电极到台阶位置，沿层叠方向形成有第一保护绝缘膜。2、 如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述第 一保护绝缘膜具有比所述n型氮化物半导体层以及p型氮化物半导体层小的 折射率。3、 如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在 所述第 一保护绝缘膜的外侧形成有第二保护绝缘膜，其折射率比该第 一保护 绝缘膜小。...

【专利技术属性】
技术研发人员：中原健，山口敦司，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]