电子器件和形成电子器件的方法技术

一种电子器件（１０），可以包括第一传导类型的晶体管结构（５０）、场隔离区（２２）、和位于场隔离区上面的第一应力类型的层（１３０）。例如，晶体管结构（５０）可以是ｐ沟道晶体管结构（５０），并且第一应力类型可以是拉伸，或者晶体管结构（６０）可以是ｎ沟道晶体管结构，并且第一应力类型（７０）可以是压缩。晶体管结构（５０）可以包括位于有源区中的沟道区（５４）。有源区的边缘包括沟道区（５４）和场隔离区（２２）之间的界面。自顶视图观察，该层可以包括位于有源区边缘附近的边缘。边缘之间的位置关系可以影响晶体管结构（５０）的沟道区（５４）中的载流子迁移率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括具有与应力层相邻的有源区的晶体管结构的电子器件 以及用于形成该电子器件的工艺背景公开的领域本专利技术涉及电子器件和用于形成电子器件的工艺，更具体地，涉 及包括与应力层相邻的有源区的晶体管结构的电子器件，以及用于形 成该电子器件的工艺。相关领域描述随着电子和器件性能的要求日渐苛刻，绝缘体上半导体(SOI)架构变得更加普遍。p沟道晶体管的沟道区中的载流子迁移率持续增加。许多方案在形成金属前(premetal)电介质(PMD)层之前使用双应力 层。该双应力层可被并入到电子器件中，作为形成PMD层之前的刻蚀 停止层。对于双应力层，刻蚀停止层包括n沟道晶体管结构上面的拉 伸层以及p沟道晶体管结构上面的压縮层。某些尝试集中于改变沿晶体管结构的沟道长度方向的有源区中的 应力，以影响漏电流和晶体管的跨导。附图简述本专利技术借助于示例进行说明并且不限于附图。 附图说明图1包括一部分基板的截面视图的说明。图2和3包括形成场隔离和有源区之后的图1的工件的顶视图和 截面视图的说明。图4包括形成栅极和间隔物结构之后的图2和3的工件的顶视图 的说明。图5包括穿过p沟道晶体管结构截取的图4的工件的截面视图的 说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：包括第一有源区的第一传导类型的第一晶体管结构，所述第一有源区具有基本上沿第一沟道长度方向延伸的第一边缘；包括第二有源区的所述第一传导类型的第二晶体管结构，所述第二有源区具有基本上沿第二沟道长度方向延伸的第二边缘；位于所述第一和第二有源区之间的场隔离区的一部分；以及位于所述场隔离区所述部分上面的第一应力类型的层的一部分，其中，所述第一应力类型的所述层的所述部分不是侧壁间隔物并且具有位于与所述第一有源区的所述第一边缘相邻的第一边缘和位于与所述第二有源区的所述第二边缘相邻的第二边缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-11-8 11/269,3031. 一种电子器件，包括包括第一有源区的第一传导类型的第一晶体管结构，所述第一有源区具有基本上沿第一沟道长度方向延伸的第一边缘；包括第二有源区的所述第一传导类型的第二晶体管结构，所述第二有源区具有基本上沿第二沟道长度方向延伸的第二边缘；位于所述第一和第二有源区之间的场隔离区的一部分；以及位于所述场隔离区所述部分上面的第一应力类型的层的一部分，其中，所述第一应力类型的所述层的所述部分不是侧壁间隔物并且具有位于与所述第一有源区的所述第一边缘相邻的第一边缘和位于与所述第二有源区的所述第二边缘相邻的第二边缘。2. 如权利要求l所述的电子器件，其中所述第一传导类型是p型 并且所述第一应力类型是拉伸。3. 如权利要求2所述的电子器件，其中所述第一和第二有源区每 个均包括位于(100)或(110)晶面上并且取向基本上是晶向<110〉的 主表面。4. 如权利要求l所述的电子器件，其中所述第一传导类型是n型 并且所述第一应力类型是压縮。5. 如权利要求4所述的电子器件，其中所述第一和第二有源区每 个均包括位于(100)或(110)晶面上并且取向基本上是晶向<100>或 <110〉的主表面。6. 如权利要求l所述的电子器件，其中所述第一传导类型是p型 并且所述第一应力类型是压縮。7. 如权利要求6所述的电子器件，其中所述第一和第二有源区每 个均包括位于(100)或(110)晶面上并且取向基本上是晶向<100〉的 主表面。8. 如权利要求l所述的电子器件，其中所述第一有源区进一步包括第三边缘、第四边缘、和第五边缘，其中自顶视图观察，所述第一和第三边缘位于沿着所述 第一有源区的第一对相对边缘，并且所述第四和第五边缘位 于沿着所述第一有源区的第二对相对边缘； 所述第一应力类型的层的所述部分进一步包括第三边缘，第四边 缘、和第五边缘，其中自顶视图观察所述层的所述部分的所述第三边缘位于与所述第一有 源区的所述第三边缘相邻；所述层的所述部分的所述第四边缘位于与所述第一有 源区的所述第四边缘相邻；所述层的所述部分的所述第五边缘位于与所述第一有 源区的所述第五边缘相邻；第一距离是所述第一有源区的所述第一边缘和所述层 的所述部分的所述第一边缘之间的距离；第二距离是所述第一有源区的所述第三边缘和所述层 的所述部分的所述第三边缘之间的距离；第三距离是所述第一有源区的所述第四边缘和所述层 的所述部分的所述第四边缘之间的距离；第四距离是所述第二有源区的所述第五边缘和所述层 的所述部分的所述第五边缘之间的距离；第一总和是所述第一和第二距离的总和，而第二总和是 所述第三和第四距离的总和；以及所述第 一 总和小于所述第二总和。9. 一种电子器件，包括包括第一有源区的第一传导类型的第一晶体管结构，该第一有源 区具有第一边缘和第二边缘的，其中所述第一边缘具有基本上沿所述第一晶体管结构的沟 道长度方向延伸的长度以及所述第二边缘具有基本上沿所述第一晶体管结构的沟 道宽度方向延伸的长度； 与所述第一有源区相邻的场隔离区；和位于所述场隔离区上面的第一应力类型的层，其中自顶视图观察.-所述层不是所述第一晶体管结构的侧壁间隔物结构的 一部分；所述层的第一边缘位于与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：万司H亚当斯，保罗A格吕多斯基，文卡塔R科拉甘塔，布赖恩A温斯特德，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]