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一种电子器件（１０），可以包括第一传导类型的晶体管结构（５０）、场隔离区（２２）、和位于场隔离区上面的第一应力类型的层（１３０）。例如，晶体管结构（５０）可以是ｐ沟道晶体管结构（５０），并且第一应力类型可以是拉伸，或者晶体管结构（６０）可以...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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