【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氮化镓基化合物半导体发光器件。更具体地说，本发 明涉及一种面朝上(face-up)型氮化镓基化合物半导体发光器件，其配置 有具有优良透光性和欧姆特性的正电极。
技术介绍
近年来，GaN基化合物半导体材料作为用于短波长发光器件的半导体 材料吸引了人们的注意力。通过金属有机化学气相沉积方法(MOCVD方 法)、分子束外延(MBE方法)等，在各种氧化物衬底例如蓝宝石晶体或 者III-V族化合物衬底上形成GaN基化合物半导体。GaN基化合物半导体材料的一个特性特征是，在横向方向上的电流扩 散很小。这导致许多位错存在于外延晶体中，并且从衬底透到表面上，但 尚不知道其详细原因。此外，在p型GaN基化合物半导体中，电阻率比n 型GaN基化合物半导体的电阻率高，因此，除非使与p型GaN基化合物 半导体形成欧姆接触的材料作为正电极，否则驱动电压会大大地增加。与p型GaN基化合物半导体形成欧姆接触的材料主要是金属，特别地， 具有大的功函数的金属易于建立欧姆接触。并且，从透光的观点，正电极 优选对光透明。因此，迄今为止，已将容易与p型GaN基化合物半导体形4成欧姆接...
【技术保护点】
一种氮化镓基化合物半导体发光器件，包括依次形成在衬底上的ｎ型半导体层、发光层和ｐ型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述ｎ型半导体层上和所述ｐ型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述ｐ型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含Ⅲ族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为０．１至１０ｎｍ。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-11-16 331607/2005;US 2005-11-23 60/739,0031.一种氮化镓基化合物半导体发光器件，包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。2. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在所述半 导体金属混合层中存在这样的区域，其半导体金属浓度为基于所有金属的 20原子％或更高。3. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在距离所 述半导体金属混合层的半导体/透明导电膜界面小于3nm的范围内存在这 样的区域，其半导体金属浓度为基于所有金属的40原子％或更高。4. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中在距离所 述半导体金属混合层的半导体/透明导电膜界面大于等于3nm的范围内的 所述半导体金属浓度为基于所有金属的15原子％或更低。5. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述透明 导电膜在室温下形成，并且在所述膜形成之后，在300至700。C下被热处 理。6. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述透明 导电膜包括透明导电膜接触层和透明导电膜电流扩散层，并且所述透明导 电膜接触层与所述p型半导体层接触。7. 根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中通过RF 溅射方法形成所述透明导电膜接触层。8. 根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中通过DC 賊射方法形成所述透明...
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