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本发明提供一种电路结构及其制造方法，该电路结构包括具有ＰＦＥＴ和ＮＦＥＴ器件的ＦＥＴ器件结构，ＰＦＥＴ和ＮＦＥＴ器件具有高ｋ电介质栅极绝缘体和含金属的栅极。ＮＦＥＴ和ＰＦＥＴ器件两者中的栅极的金属层由单个公共金属层制造。因为两类器件的栅极使...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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