用于非易失性存储器的错误恢复制造技术

一种操作一存储器集成电路的方法，其包括：　　　　提供一以ＮＡＮＤ结构组织的存储器单元串；　　　　选择所述串中的一第一存储器单元以从其中读取数据；　　　　将一ＶＷＬ电压置于所述第一存储器单元的一字线上；　　　　对于一存储器单元标准读取模式，将一第一ＶＲＥＡＤ电压置于一邻近于所述第一存储器单元的第二存储器单元的一字线上；　　　　对于一存储器单元恢复读取模式，将一第二ＶＲＥＡＤ电压置于所述第二存储器单元的所述字线上，其中所述第二ＶＲＥＡＤ电压不同于所述第一ＶＲＥＡＤ电压；和　　　　从所述第一存储器单元读取数据。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性可擦除可编程存储器的编程，且更特定地说涉及一种用于恢复来自不可读非易失性存储器单元的数据的技术，所述技术将增加存储器单元的可靠性和寿命。
技术介绍
存储器和存储技术是能促进信息时代发展的关键
之一。随着因特网、万维网(World Wide Web，WWW)、无线电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、数码摄录像机、数字音乐播放器、计算机、网络等的高速发展，不断需要更好的存储器和存储技术。一种特别类型的存储器为非易失性存储器。非易失性存储器甚至当电源被移除时也保留其存储器或存储状态。一些非易失性可擦除可编程存储器类型包括闪存、EEPROM、EPROM、MRAM、FRAM、铁电性和磁性存储器。一些非易失性存储产品包括闪盘、压缩闪存(CF)卡、多媒体卡(MMC)、安全数字(SD)卡、闪存PC卡(例如ATA闪存卡)、智慧卡、个人标记(P-Tag)和记忆棒。一种广泛使用的半导体存储器存储单元类型为闪存存储器单元。某些浮栅存储器单元类型包括闪存、EEPROM和EPROM。存在其它类型的存储器单元技术，如上文提及的那些技术。诸如闪存的浮栅存储器单元仅作为一实例来论述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种操作一存储器集成电路的方法，其包括提供一以NAND结构组织的存储器单元串；选择所述串中的一第一存储器单元以从其中读取数据；将一VWL电压置于所述第一存储器单元的一字线上；对于一存储器单元标准读取模式，将一第一VREAD电压置于一邻近于所述第一存储器单元的第二存储器单元的一字线上；对于一存储器单元恢复读取模式，将一第二VREAD电压置于所述第二存储器单元的所述字线上，其中所述第二VREAD电压不同于所述第一VREAD电压；和从所述第一存储器单元读取数据。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二VREAD电压高于所述第一VREAD电压。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二VREAD电压低于所述第一VREAD电压。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述VWL电压约为零伏。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一VREAD电压位于一从约4伏到约5伏的电压范围内。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二VREAD电压比所述第一VREAD电压至少高约0.25伏。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括对于所述存储器单元恢复读取模式，将所述第二VREAD电压置于一也邻近于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁克·徐，陈建，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：