【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及静态随机存取存储器(SRAM)，更具体地，涉及用于检测弱SRAM单元的方法和设备。静态RAM是需要电源维持其内容的存储芯片，即只有供电才能在存储器中保持数据位。静态RAM由触发电路构成，所述触发电路基于两个选择晶体管中的哪一个被激活而使得电流通过一端或另一端。与动态随机存取存储器(DRAM)不同，静态RAM无需周期性地刷新单元的刷新电路。SRAM还提供了比DRAM更快的数据访问速度。但它们也占用了更多的空间，耗费了更多的功率并且增加了成本。例如，SRAM通常用于计算机的高速缓冲存储器，以及视频卡上的随机存取存储器数字模拟转换器的一部分。附图说明图1图示了通常使用的六晶体管(6T)的SRAM单元。包括P沟道晶体管102和N沟道晶体管104的第一反向器100，以及包括P沟道晶体管202和N沟道晶体管204的第二反向器200以公知方式互连形成锁存器。第一N沟道选择晶体管106将锁存器连接到第一位线BLB，而第二N沟道选择晶体管108将锁存器连接到第二位线BL。N沟道选择晶体管106，108的栅极连接到字线WL。如上描述的六晶体管(6T)CMOS ...
【技术保护点】
一种用于检测存在弱缺陷的静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元的设备，ＳＲＡＭ单元具有初始逻辑状态并包括了连接在两个位线（ＢＬ，ＢＬＢ）之间并且连接到字线（ＷＬ）的触发电路，该设备包括：ａ）将至少一个所述位线（ＢＬ，ＢＬＢ）预充电到预定 电平的装置；ｂ）使能所述字线（ＷＬ）的装置；和ｃ）在使能所述字线（ＷＬ）之后，确定ＳＲＡＭ单元的逻辑状态以确定该逻辑状态是否从所述初始逻辑状态改变的装置；其特征在于该设备进一步包括用于基于特定的单元标准和特性来编程断 路电压的装置；以及在所述字线（ＷＬ）被使能后并且在确定所述逻辑状态之...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-3-12 03100633.11.一种用于检测存在弱缺陷的静态随机存取存储器(SRAM)单元的设备，SRAM单元具有初始逻辑状态并包括了连接在两个位线(BL，BLB)之间并且连接到字线(WL)的触发电路，该设备包括a)将至少一个所述位线(BL，BLB)预充电到预定电平的装置；b)使能所述字线(WL)的装置；和c)在使能所述字线(WL)之后，确定SRAM单元的逻辑状态以确定该逻辑状态是否从所述初始逻辑状态改变的装置；其特征在于该设备进一步包括用于基于特定的单元标准和特性来编程断路电压的装置；以及在所述字线(WL)被使能后并且在确定所述逻辑状态之前，将至少一个所述位线(BL，BLB)或与其成比例的节点电压驱动到所述断路电压的装置。2.如权利要求1的设备，其中根据所述SRAM单元的初始逻辑状态对所述的断路电压进行编程。3.如权利要求1或2的用于检测存在弱单元的SRAM阵列的设备，所述SRAM阵列包括全部都连接在相同的两个位线(BL，BLB)之间的多个SRAM单元，并且所述两个位线中的每个位线都连接到各自的字线(WL)。4.如权利要求3的设备，其中所述用于使能字线(WL)的装置包括用于同时充分使能与所述多个SRAM单元分别连接的所有字线的装置。5.如权利要求2到4中任意一个权利要求的设备，包括用于确定阵列中的每个SRAM单元的内部逻辑状态并根据包含在其中的0和1比率编程所述断路电压的装置。6.根据权利要求5的设备，包括在使能所述字线(WL)后，用于确定所述SRAM单元的所有逻辑状态、并标记或以别的方式识别那些逻辑状态被确定为从所述初始逻辑状态改变的单元为弱单元的装置。7.根据权利要求6的设备，其中弱单元定义为具有比优良单元的静态噪音容限要低很多的静态噪音容限的单元。8.一种用于检测存在弱单元的静态随机存取存储器(SRAM)阵列的设备，该存储器阵列具有多个SRAM单元和连接每个SRAM单元的一对位线(BL，BLB)，其中每个SRAM单元具有初始逻辑状态，每个SRAM单元连接到各自的字线(WL)，该设备包括用于将至少一个所述位线(BL，BLB)预充电到预定电平的装置，用于使能所述字线(WL)的装置，用于将至少一个所述位线、或与其成比例的节点电压驱动到预定断路电压的装置，用于在所述至少一个位线或与其成比例的节点电压驱动到所述预定断路电压后，识别每个SRAM单元的逻辑状态以确定任何一个单元中的逻辑状态是否从...
【专利技术属性】
技术研发人员：JDJ皮内达德吉维兹，M萨赫德夫，A帕夫洛夫，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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