半导体存储器件制造技术

在具有冗余电路的半导体存储器件中，该冗余电路用于处理缺陷存储单元的修复，被不均匀分布的存储单元缺陷能够被有效地修复。该半导体存储器件具有多个存储块，该存储块包括多个段。用于替代段的缺陷数据的冗余存储块被物理地提供给每个存储块。冗余存储块的块地址被逻辑地共同分配给多个存储块。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体存储器件，特别涉及一种具有能够处理有缺陷存储单元的冗余电路的半导体存储器件。
技术介绍
在半导体存储器的生产过程中，因芯片表面的灰尘、抛光晶片表面的研磨剂的不匀性等等，而使得在芯片上产生缺陷。当芯片上产生一微小缺陷时，尽管仅具有缺陷部分的存储单元是损坏的，而其他部分仍可以正常工作，但芯片本身却仍被认为是有缺陷的产品。通过在半导体存储器芯片上提供备用的存储单元，并且用备用存储单元的数据来取代缺陷存储单元的读/写数据，以提高制造成品率是可能的。由于该原因，通过增加半导体存储器的存储容量来提供包含备用存储单元的冗余电路和控制电路变的很普遍。请参阅附图说明图1所示，解释了芯片上的存储单元与备用存储单元之间的关系。如图1A所示，存储块71具有多个段71-0，71-1，…。一个段是当芯片上产生缺陷时被指定用来修复有缺陷的存储单元的单元。冗余存储块72具有用来替代包括缺陷存储单元段的冗余段72-0和72-1。当在存储块71中产生的缺陷75的尺寸很小时，缺陷75仅适存在于存储块71的单个段71-0，如图1A中所示例子的情形。通过冗余存储块72中的冗余段72-0来修复存储在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有冗余电路的半导体存储器件，包括：　　　　多个存储块；和　　　　提供给所述的多个存储块的每个存储块的多个冗余存储块，　　　　其中用于选择所述的多个存储块的每个存储块的地址位不同于用于选择所述的多个冗余存储块的每个的地址位。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-7-15 274991/20031.一种具有冗余电路的半导体存储器件，包括多个存储块；和提供给所述的多个存储块的每个存储块的多个冗余存储块，其中用于选择所述的多个存储块的每个存储块的地址位不同于用于选择所述的多个冗余存储块的每个的地址位。2.根据权利要求1的所述半导体存储器件，其中所述的多个存储块的每个所拥有的一个或多个相邻存储单元行或列是作为替换对象的分配单元的段，具有缺陷的相邻段由所述的多个冗余存储块的不同的冗余存储块取代。3.根据权利要求2的所述半导体存储器件，其中定义所述段的地址位是低地址位，用于选择所述多个冗余存储块的地址位包括紧邻于所述低地址位的高地址位。4.根据权利要求2的所述半导体存储器件，其中所述段的单元等于所述子字线的数量。5.一种半导体存储器件，包括具有多个段的存储块，所述的多个段的每个包括多个存储单元；和提供给所述存储块的多个冗余存储块，其中所述的多个冗余存储块的每个具有用于替代在所述的多个段中具有缺陷的任何段的冗余段，所述的多个段循环并顺序地分配给所述的多个冗余存储块，以及所述的多个段中的每个当存在缺陷时由所述分配的冗余存储块取代。6.一种半导体存储器件，包括多个存储块，每个存储块都具有多个段，所述的多个段的每个包括多个存储单元；和提供给所述多个存储块的多个冗余存储块，其中所述的多个冗余存储块的每个具有替代所述的多个段中具有缺陷的任何段的冗余段，所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川澄男，越川康二，
申请(专利权)人：尔必达存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]