用于电阻开路缺陷的RAM地址译码器的测试制造技术

新测试图包括在矩阵内执行“非常小跳转”和“非常大跳转”。由行译码器控制“非常小跳转”以及具有敏化导致字线中的缓慢下降行为的电阻开路缺陷的效果。“非常小跳转”是指两个连续访问的存储器位置仍然在唯一子簇中直到已经测试那个子簇中的所有行为止，仍然在相同簇中直到已经测试那个簇中的所有行为止，仍然在相同Ｕ部中直到那个Ｕ部的所有行为止，并且最后仍然在相同Ｚ块中直到已经测试那个Ｚ块的所有行为止。“非常大跳转”用来覆盖导致缓慢上升行为的电阻开路缺陷的类，以及意图表示两个连续存储器访问必须永不保持在相同子簇中、相同簇或相同Ｕ部。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于测试集成电路，诸如半导体存储器地址译码器或随机逻辑电路的方法和装置，以及更具体地说，涉及当存在开路缺陷时，用于测试这种电路的方法和装置。
技术介绍
电子电路以及特别是集成电路的系统和自动测试正变得日益重要。每一代电路倾向于包括更高部件密度和越来越多的系统功能。单个电路已经变得复杂到除通过详尽和昂贵的测试外，不能检测和定位工艺缺陷的这种程度。将意识到不能期望消费者接受仅在操作使用期间，才揭示它们的隐藏缺陷，因此，使例如生命支持系统或飞机控制系统变得不可靠。因此，最重要的是制造商和消费者执行测试以便确保电路产品的完美操作。随机访问存储器(SRAMs，DRAMs)在微电子工业中占据战略位置。在许多方面，RAM测试不同于传统的逻辑测试。RAMs倾向于更大和更密集电路生产，以及它们的小型尺寸和巨大芯片大小导致缺陷的巨大临界区。高复杂度和缺陷灵敏度已经将RAM测试成本推向极限，以及已经提出了这一问题的许多解决方案。随机访问存储器通常经受步进测试和/或数据保持测试。在步进测试中，单个步进元件(march element)遍历所有RAM地址以及执行特定的读写操作组合。例如，典型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测试包括用于接收逻辑数据的单元矩阵的电子电路的方法，所述单元矩阵划分成多个Ｚ块，每个包括ｎ行单元，其中ｎ为大于１的整数，该方法包括访问所述矩阵中的所述单元的每一个的步骤，以及特征在于，两个连续单元访问仍然在相同Ｚ块中直到已经访问其中的所有ｎ个行为止。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-5-22 03101470.71.一种用于测试包括用于接收逻辑数据的单元矩阵的电子电路的方法，所述单元矩阵划分成多个Z块，每个包括n行单元，其中n为大于1的整数，该方法包括访问所述矩阵中的所述单元的每一个的步骤，以及特征在于，两个连续单元访问仍然在相同Z块中直到已经访问其中的所有n个行为止。2.如权利要求1所述的方法，其中，每个Z块划分成多个U部，每个包括各个Z块的n行的一些，以及该方法特征在于，两个连续单元访问仍然在相同U部中直到已经访问其中的所有行为止。3.如权利要求2所述的方法，其中，每个U部划分成多个簇，每个包括各个U部的一些行，以及该方法的特征在于，两个连续单元访问仍然在相同簇中直到已经访问其中的所有行为止。4.如权利要求3所述的方法，其中，每个簇划分成多个子簇，每个包括各个簇的一些行，最好为两行，以及该方法的特征在于两个连续单元访问仍然在相同子簇中直到已经访问其中的所有行为止。5.如权利要求1至4的任何一个所述的方法，其中，所述单元访问包括读和/或写操作以及按递增地址顺序，然后按递减顺序，关于所述被选块中的单元的每一行执行，或反之亦然。6.如权利要求1至5的任何一个所述的方法，其中，按递增和/或递减地址顺序，选择Z块。7.一种用于测试包括用于接收逻辑数据的单元矩阵的电子电路的设备，所述单元矩阵划分成多个Z块，每个包括n行单元，其中n为大于1的整数，该设备包括用于访问所述矩阵中的所述单元的每一个的装置，以及其特征在于，两个连续单元访问仍然在相同Z块中直到已经访问其中的所有结束行为止。8.一种用于测试包括用于接收逻辑数据的单元矩阵的电子电路的方法，所述单元矩阵划分成多个Z块，每个包括n行单元，其中n为大于1的整数，所述Z块的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M阿兹曼，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]