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一种操作一存储器集成电路的方法，其包括：　　　　提供一以ＮＡＮＤ结构组织的存储器单元串；　　　　选择所述串中的一第一存储器单元以从其中读取数据；　　　　将一ＶＷＬ电压置于所述第一存储器单元的一字线上；　　　　对于一存储器单元标准读取模式，将...
该专利属于桑迪士克股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克股份有限公司授权不得商用。

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