非易失性半导体存储器、半导体装置及电荷泵电路制造方法及图纸

技术编号:3082643 阅读:89 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术为一种非易失性半导体存储器,其特征为具备,于第1时序开始工作并产生第1电压的第1泵10;及于接着所述第1时序的第2时序开始工作,并将第2电压施加于与非易失性半导体存储器单元50连接的给定节点N1的第2泵20;及于所述第2时序使用所述第1电压,对所述给定节点进行增压的增压器60。于以第2泵20将给定节点N1保持于第2电压时,使用第1泵10对给定节点N1进行增压,因此可进行高速工作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器,包含:于第1时序开始工作并产生第1电压的第1泵;于接着所述第1时序的第2时序开始工作并将第2电压施加于与非易失性半导体存储器单元连接的给定节点的第2泵;及于所述第2时序使用所述第1电压对所述 给定节点进行增压的增压器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:栗原和弘
申请(专利权)人:斯班逊有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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