非易失性存储器中可靠的数据拷贝操作的新颖方法和结构技术

一种改进的基于闪速ＥＥＰＲＯＭ存储器的存储子系统，包括一个或多个闪存阵列，每一个都带有两个数据寄存器和一个控制器电路。当数据从闪存读入一个数据寄存器时，该数据拷贝到第二寄存器，所以在确保同一阵列的编程操作期间，该数据可以传递到控制器，以便检验该数据的有效性。这就产生了一种改进性能的系统，它在拷贝操作期间不造成数据传递等待，但是却能够保证这种操作中涉及之数据的有效性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的领域为半导体非易失性存储器架构及其操作方法，已经应用于闪速可电擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
技术介绍
闪速EEPROM器件的一种普通应用，是作为电子设备的海量数据存储子系统。通常实现此类子系统或者是作为能够插入多个主机系统的可拆卸存储卡，或者是作为主机系统之内嵌入的不可拆卸存储器。在这两种设备中，子系统都包括一个或多个闪存器件，并且往往包括一个子系统控制器。闪速EEPROM器件包括一个或多个晶体管单元阵列，每个单元都能够非易失地存储一位或多位数据。因此闪存不需要电源来保持其中编程的数据。不过，某个单元一旦被编程，就必须先擦除，才能再次用新的数据值编程。这些单元阵列划分成组，以便使读、编程和擦除功能的效率更高。用于海量存储的典型闪存架构，在可擦除块中安排了较大的单元组。每个块都进一步划分为一个或多个可寻址的区段，这些区段是读和编程功能的基本单位。子系统控制器执行许多功能，包括将子系统的逻辑块地址(LBA)转换为物理芯片、块、区段地址。该控制器也利用通过接口总线发出到闪存器件的一系列命令，来管理低级闪存电路操作。该控制器执行的另一项功能，是对于以多种方式(如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在可重编程非易失性存储器系统中传输数据的方法，所述可重编程非易失性存储器系统至少具有半导体设备上的一个存储单元阵列和与其连接的单独的控制器电路，所述存储单元阵列被分成可一起擦除具有最小数目存储单元的块，所述控制器电路还执行数据有效性检查，所述方法包括：将数据从存储单元块内的第一存储单元复制到所述半导体设备上的寄存器中，以及同时将来自所述寄存器的数据编程到存储单元块中的第二存储单元中，并在所述控制器中检查数据的有效性。

【技术特征摘要】
US 2000-8-21 09/643,1511.一种在可重编程非易失性存储器系统中传输数据的方法，所述可重编程非易失性存储器系统至少具有半导体设备上的一个存储单元阵列和与其连接的单独的控制器电路，所述存储单元阵列被分成可一起擦除具有最小数目存储单元的块，所述控制器电路还执行数据有效性检查，所述方法包括将数据从存储单元块内的第一存储单元复制...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文M康雷，丹尼尔C古特曼，卡洛斯J宫扎列兹，
申请(专利权)人：三因迪斯克公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]