非易失性存储装置制造方法及图纸

藉由读出感测放大器（１９）所读出的操作信息，经由资料线（ＤＢ）转送至易失性存储部。易失性存储部是由具有ＳＲＡＭ构成的第一易失性存储部（２１），以及由闩锁电路所构成的第二易失性存储部（２３）所构成，并分别并联连接于资料线（ＤＢ）。只要根据储存于被字线（ＷＬＷＰ）所选择的非易失性存储体单元（ＭＣ）中的写入保护信息等的操作状态来提供即可的操作信息，是根据对地址等的操作信息赋予关联性的识别信息，而对第一易失性存储部（２１）进行写入与读出。调整信息等的可恒常参照的必要的操作信息，是根据识别信息而于写入第二易失性存储部（２３）后，被设为予以恒常输出的状态。能作成因应操作信息属性的存储形态。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种储存有操作信息的非易失性存储装置，尤其有关一种根据初始化操作来读出预先储存的操作信息，并保持为可参照的非易失性存储装置。
技术介绍
于专利文献1所揭示的非易失性半导体存储装置中，如第9图所示，存储体单元阵列110的初始设定资料区域130是设定成成为资料消除的最小单位的单元区块，并预先设定成作为写入用以决定存储体的操作条件的初始设定的区域。当施加电源时，开机重置(power-on reset)电路270操作，而控制电路210会检测出该操作。经过用以使电源稳定化的固定等待时间后，设定为读出模式。从地址暂存器220依序递增内部地址并予以输出。然后，藉由列解码器(row decoder)140及行解码器(column decoder)170所选择的初始设定资料区域130的资料，是藉由感测放大器电路150予以读出并转送保持于资料暂存器160，再经由资料汇流排予以转送并保持于初始设定资料闩锁电路230、250及晶片信息资料闩锁电路280。初始设定资料闩锁电路230是例如第10图所示，由存储所需的数目的闩锁电路LA1至LAm所构成。各个闩锁电路LA具有闩锁本体420与用以读入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置具备在供电時存储操作信息的易失性存储部，所述易失性存储部具备有：第一易失性存储部，根据对每个所述操作信息赋予关联性的识别信息来读出所存储的所述操作信息；以及第二易失性存储部，无关于所 述识别信息，而以可恒常逻辑处理的方式来输出所存储的所述操作信息。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置具备在供电時存储操作信息的易失性存储部，所述易失性存储部具备有第一易失性存储部，根据对每个所述操作信息赋予关联性的识别信息来读出所存储的所述操作信息；以及第二易失性存储部，无关于所述识别信息，而以可恒常逻辑处理的方式来输出所存储的所述操作信息。2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还具备有用以储存所述操作信息的非易失性存储部，并根据电源施加、初始化和/或储存于所述非易失性存储部的所述操作信息的变更，而从所述非易失性存储部转送所述操作信息至所述易失性存储部。3.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，存储于所述第一易失性存储部的所述操作信息，是根据需要所述操作信息的内部操作而读出。4.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，对存储于所述第一易失性存储部的所述操作信息赋予关联性的所述识别信息，是根据需要所述操作信息的内部操作而设定。5.如权利要求4所述的非易失性存储装置，还具备有用以储存所述操作信息的非易失性存储部，而存储于所述第一易失性存储部的所述操作信息，是根据电源施加、初始化和/或储存于所述非易失性存储部的所述操作信息的变更，而从所述非易失性存储部转送至所述第一易失性存储部。6.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第一易失性存储部具备有数个存储单元，根据所述识别信息而被选择；以及至少一条公用的数字线，系共同连接于所述数个存储单元中预定数目的所述存储单元的各者，而存储于所述存储单元的所述操作信息，是从根据所述识别信息而被选择的所述存储单元，经由所述公用数字线而读出。7.如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述存储单元具备有存储部，存储所述操作信息；以及选择开关部，根据所述识别信息而被选择，用以连接控制所述存储部与所述公用数字线，而有关于共同连接至所述公用数字线的预定数目的所述存储单元，所述选择开关部是根据每个所述存储单元不同的所述识别信息而被连接控制。8.如权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述操作信息系根据所述识别信息而储存于所述非易失性存储部，且根据电源施加、初始化和/或储存于所述非易失性存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：长尾光洋，加藤健太，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，斯班逊日本有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]